公开(公告)号：CN1249182C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03107693.9

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 天羽悟 ,  山田真治 ,  石川敬郎 ,  永井晃 ,  杉政昌俊

IPC: C09D125/04 ,  C09D5/25 ,  B32B27/00

CPC classification number: H05K1/032 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31909 ,  Y10T442/2861 ,  Y10T442/3854 ,  Y10T442/3862 ,  Y10T442/3886 ,  Y10T442/3902 ,  Y10T442/3911 ,  Y10T442/678

Abstract: 提供使用含有多官能团苯乙烯化合物具有优良介电特性的低介电损耗正切树脂组合物的低介电损耗正切膜以及配线膜。含有具有以下通式：式中，R表示可以有取代基的烃骨架；R1可以相同或不同，表示氢原子或1～20个碳原子的烃基；R2、R3和R4可以相同或不同，表示氢原子或1～6个碳原子的烷基；m表示1～4的整数；n表示2以上的整数；表示的数个苯乙烯基的重均分子量1000以下的交联成分，和高分子量体的固化性低介电损耗正切膜，以及以其为绝缘层的配线膜。

公开(公告)号：CN101831193B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010159954.9

申请日：2004-07-28

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  三菱化学株式会社 ,  株式会社日立制作所 ,  先锋公司

Inventor： 矢野浩之 ,  杉山淳司 ,  能木雅也 ,  岩本伸一朗 ,  半田敬信 ,  永井晃 ,  三轮崇夫 ,  竹泽由高 ,  宫寺敏之 ,  栗原隆 ,  松浦徹 ,  小胜负信建 ,  丸野透

IPC: C08L101/00 ,  C08L1/02 ,  C08J5/24 ,  B32B5/28 ,  B32B27/06 ,  H05K1/03 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B6/122 ,  B82Y30/00 ,  C08J5/005 ,  C08J5/04 ,  C08L101/00 ,  G02B6/10 ,  G02B6/4214 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12107 ,  H05K1/0366 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0251 ,  Y10T428/249924 ,  Y10T428/249928 ,  Y10T428/24994 ,  Y10T428/2965 ,  Y10T428/31518 ,  Y10T428/31525 ,  C08L2666/26

Abstract: 本发明提供一种纤维增强复合材料，该材料包含具有4～200nm的平均纤维直径的纤维和基质材料，该复合材料在400～700nm的波长处具有60％或大于60％的可见光透射率，所述透光率是基于50μm厚度的换算值。还提供一种纤维增强复合材料，该材料由基质材料和浸渍有该基质材料的纤维聚集体组成，当纤维聚集体的孔区域所对应的亮区域的段长用L表示时，满足L≥4.5μm的段的总长度为总分析长度的30％或低于30％，所述段长L由如下方法得到：将纤维聚集体的扫描电子显微图二进制化得到二进制图像，对由二进制图像形成的单方向行程长度图像进行统计学分析，从而得到段长L。本发明还提供使用由该纤维增强复合材料制成的透明基板的透明多层片、电路板和光波导。

公开(公告)号：CN1832985B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200480022419.1

申请日：2004-07-28

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  三菱化学株式会社 ,  先锋公司 ,  罗姆股份有限公司 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 矢野浩之 ,  杉山淳司 ,  能本雅也 ,  岩本伸一朗 ,  半田敬信 ,  永井晃 ,  三轮崇夫 ,  竹泽由高 ,  宫寺敏之 ,  栗原隆 ,  松浦徹 ,  小胜负信建 ,  丸野透

IPC: C08J5/24 ,  H05K1/03 ,  G02B6/10 ,  B32B5/28 ,  B32B27/12 ,  C08L1/00 ,  C08L101/00

CPC classification number: G02B6/122 ,  B82Y30/00 ,  C08J5/005 ,  C08J5/04 ,  C08L101/00 ,  G02B6/10 ,  G02B6/4214 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12107 ,  H05K1/0366 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0251 ,  Y10T428/249924 ,  Y10T428/249928 ,  Y10T428/24994 ,  Y10T428/2965 ,  Y10T428/31518 ,  Y10T428/31525 ,  C08L2666/26

Abstract: 本发明提供一种纤维增强复合材料，该材料包含具有4～200nm的平均纤维直径的纤维和基质材料，该复合材料在400～700nm的波长处具有60％或大于60％的可见光透射率，所述透光率是基于50μm厚度的换算值。还提供一种纤维增强复合材料，该材料由基质材料和浸渍有该基质材料的纤维聚集体组成，当纤维聚集体的孔区域所对应的亮区域的段长用L表示时，满足L≥4.5μm的段的总长度为总分析长度的30％或低于30％，所述段长L由如下方法得到：将纤维聚集体的扫描电子显微图二进制化得到二进制图像，对由二进制图像形成的单方向行程长度图像进行统计学分析，从而得到段长L。本发明还提供使用由该纤维增强复合材料制成的透明基板的透明多层片、电路板和光波导。

公开(公告)号：CN1146985C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98102973.6

申请日：1998-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立电线株式会社

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  濑川正则 ,  永井晃 ,  小角博义 ,  石井利昭 ,  安生一郎 ,  西村朝雄 ,  宫崎忠一 ,  御田护 ,  冈部则夫

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力，在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中，作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层，设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上，由于采用粘接薄片可简化制造工序，所以能够大量生产并提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN1478831A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03107693.9

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 天羽悟 ,  山田真治 ,  石川敬郎 ,  永井晃 ,  杉政昌俊

IPC: C09D125/04 ,  C09D5/25

CPC classification number: H05K1/032 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31909 ,  Y10T442/2861 ,  Y10T442/3854 ,  Y10T442/3862 ,  Y10T442/3886 ,  Y10T442/3902 ,  Y10T442/3911 ,  Y10T442/678

Abstract: 提供使用含有多官能团苯乙烯化合物具有优良介电特性的低介电损耗正切树脂组合物的低介电损耗正切膜以及配线膜。含有具有(Ⅰ)通式：式中，R表示可以有取代基的烃骨架；R1可以相同或不同，表示氢原子或1～20个碳原子的烃基；R2、R3和R4可以相同或不同，表示氢原子或1～6个碳原子的烷基；m表示1～4的整数；n表示2以上的整数；表示的数个苯乙烯基的重均分子量1000以下的交联成分，和高分子量体的固化性低介电损耗正切膜，以及以其为绝缘层的配线膜。

公开(公告)号：CN1478824A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03123626.X

申请日：2003-05-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 天羽悟 ,  永井晃 ,  山田真治 ,  石川敬郎 ,  高桥昭雄

IPC: C08L101/12 ,  H01B3/18

CPC classification number: H01L23/49894 ,  C08K3/01 ,  H01B3/441 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03B5/18 ,  H05K1/024 ,  H05K3/4676 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供适于高频信号用的低电介质损耗角正切树脂组合物为绝缘层的介电损耗小、高效率的高频用电子部件。其中，采用含有通式(I)(式中，R表示烃骨架，R1相同或不同，表示氢或C1～C20的烃基，R2、R3及R4相同或不同，表示氢原子或C1～C6的烃基，m表示1～4的整数，n表示2以上的整数)所示交联成分的交联结构体的绝缘层制作高频用电子部件。

公开(公告)号：CN1030434A

公开(公告)日：1989-01-18

申请号：CN88104256

申请日：1988-07-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 永井晃 ,  片桐纯一 ,  小野正博 ,  铃木雅雄 ,  高桥昭雄 ,  奈良原俊和

IPC: C08L29/10 ,  C08L33/16 ,  B32B27/28

CPC classification number: C08J5/24 ,  C08F8/00 ,  C08F8/14 ,  C08F290/124 ,  C08F2810/30 ,  C08J2325/18 ,  C08L9/00 ,  C08L25/18 ,  H05K1/034 ,  C08F112/14 ,  C08L2666/06 ,  C08L2666/04 ,  C08F12/14

Abstract: 一种阻燃树脂组合物，包含一种作为它的基本组分的预聚物，其通式如下：式中R1代表氢原子或非活性饱和基团；R2代表活性不饱和基团；m和n各代表1～4之间的正数，而X和Y代表共聚比在0.3～0.7范围内，要求X+Y＝1。这种组合物是可固化的，具有均匀交联密度，没有显著的应力集中，故适用于生产，制作具有高的抗热冲击性能和极好的耐热性和电学性能的多层印刷线路板所需的层压薄板。

公开(公告)号：CN100487888C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN99127384.2

申请日：1999-10-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  永井晃 ,  佐藤俊也 ,  石井利昭 ,  小角博义 ,  濑川正则 ,  露野円丈 ,  西村朝雄 ,  安生一郎

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供半导体器件、半导体晶片以及半导体组件：其中半导体器件翘曲很小；在下落试验中几乎不产生芯片边缘的损伤和龟裂；半导体器件在安装可靠性和大规模生产性很优异。半导体器件(17)包括：半导体芯片(64)；提供在半导体芯片形成有电路和电极的平面上的多孔应力释放层(3)；提供在应力释放层上并连接到电极的电路层(2)；以及提供在所述电路层上的外部端子(10)；其中有机保护膜(7)形成在半导体芯片与应力释放层相反的平面上，应力释放层、半导体芯片(6)以及有机保护膜(7)的各侧面在相同的平面上露出。

公开(公告)号：CN1273544C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN03123626.X

申请日：2003-05-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 天羽悟 ,  永井晃 ,  山田真治 ,  石川敬郎 ,  高桥昭雄

IPC: C08L101/12 ,  H01B3/18

CPC classification number: H01L23/49894 ,  C08K3/01 ,  H01B3/441 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03B5/18 ,  H05K1/024 ,  H05K3/4676 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供适于高频信号用的低电介质损耗角正切树脂组合物为绝缘层的介电损耗小、高效率的高频用电子部件。其中，采用含有通式(Ⅰ)(式中，R表示烃骨架，R1相同或不同，表示氢或C1～C20的烃基，R2、R3及R4相同或不同，表示氢原子或C1～C6的烃基，m表示1～4的整数，n表示2以上的整数)所示交联成分的交联结构体的绝缘层制作高频用电子部件。

公开(公告)号：CN1591810A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410078966.3

申请日：1997-02-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 北野诚 ,  河野龙治 ,  田中直敬 ,  矢口昭弘 ,  熊泽铁雄 ,  安生一郎 ,  田中英树 ,  西村朝雄 ,  江口州治 ,  永井晃 ,  御田护

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49572 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：隔着弹性树脂将一其上形成有布线图形的树脂薄膜放置在半导体芯片的形成有多个电极的表面上；把引线的一端与所述电极连接起来，并把所述引线的另一端与所述布线图形连接起来，以及在所述电极与所述引线连接的位置上放置密封树脂。