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公开(公告)号：CN103403895B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103403890B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180069018.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/28 , H01L23/49805 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。
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公开(公告)号：CN103403889A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010835.4
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层（15）、p侧电极（16）、n侧电极（17）、无机绝缘膜（14）、p侧互连部分（21）、n侧互连部分（22）和有机绝缘膜（20）。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部（216）和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部（226）重叠在有机绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN102694113A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210075913.0
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括叠置体、第一和第二电极、第一和第二互连、第一和第二柱以及第一绝缘层。叠置体包括第一和第二半导体层和发光层。第一和第二电极分别连接到第一和第二半导体层。第一和第二互连分别连接到第一和第二电极。第一和第二柱分别连接到第一和第二互连。第一绝缘层设置在所述互连和所述柱上。第一和第二柱具有在第一绝缘层的表面中暴露的第一和第二监视焊盘。第一和第二互连具有在与第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一和第二键合焊盘。
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公开(公告)号：CN103782401A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043649.0
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/00 , H05B33/08
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L24/19 , H01L25/50 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H05B33/0803 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：不少于三个芯片（3a，3b），所述芯片中的每一个芯片包括半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面相对的一侧上的第二面、以及发光层（12a）；p侧电极（16），其被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中；以及n侧电极（17），其被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中；以及被设置在所述芯片的所述第一面上的相同种类的荧光体层（31）。所述芯片包括：位于平面图中心的中心芯片（3a），以及至少两个周边芯片（3b），其在所述平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片（3a）。在所述周边芯片中，所述第一面上的所述荧光体层（31）的厚度相同，并且所述中心芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）与所述周边芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）具有彼此不同的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102270722A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110070617.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面、与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一电极被设置于第二主表面上的包括发光层的区域上。第二电极被设置于第二主表面上并且在平面图中至少部分内插到第一电极里面。
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公开(公告)号：CN102270710A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110192487.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
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公开(公告)号：CN102270727B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110070604.X
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
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公开(公告)号：CN103403895A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102270727A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110070604.X
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
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