公开(公告)号：CN117476587A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202211725326.1

申请日：2022-12-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 马场祥太郎 ,  新井雅俊 ,  宫下桂 ,  可知刚

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体芯片及半导体装置。有关实施方式的半导体芯片具备第1电极、半导体层、第2电极、第3电极和金属层。上述半导体层包括第1部分、第2部分及位于上述第1部分与上述第2部分之间的第3部分，设在上述第1电极之上。上述第2电极设在上述第1部分之上。上述第3电极设在上述第2部分之上。上述金属层设在上述第1电极之下，位于上述第3部分之下。上述金属层的下表面位于上述第1电极的下表面的下方。

公开(公告)号：CN112420851A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010107182.8

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 新井雅俊

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 实施方式提供能够降低关断时的漏电流的半导体装置。实施方式的半导体装置，包括：第1导电型的半导体部；在上述半导体部的背面上设置的第1电极；在上述半导体部的表面上设置的第2电极；第2导电型的第1半导体层，配置于在上述半导体部的上述表面侧设置的沟槽的内部；及绝缘层，设置于上述沟槽的内部，将上述第1半导体层从上述半导体部电绝缘。上述第2电极经由具有整流性的接触面而连接于上述半导体部，与上述第1半导体层电连接。

公开(公告)号：CN110176496A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201810843515.6

申请日：2018-07-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 新井雅俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体装置，第1半导体区域设于第1电极之上，与第1电极电连接。第2半导体区域设于第1半导体区域之上。第3半导体区域设于第2半导体区域的一部分之上。栅极电极设于第1半导体区域之上，具有第1、第2部分和位于两者之间的第3部分。第1部分在第2方向上隔着栅极绝缘部而与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域、及第3半导体区域的至少一部分对置。第2部分在第3方向上与第1部分分离。第4半导体区域具有在第2方向上隔着栅极绝缘部而与第2部分对置的第1区域。布线部设于第3部分之上，与第3部分电连接。第2电极设于第2、第3半导体区域、及第1区域之上。第2电极与第2、第3、第4半导体区域电连接，与布线部电分离。

公开(公告)号：CN106449750A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610025310.8

申请日：2016-01-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤浩朗 ,  新井雅俊 ,  吉冈千香子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置，具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、绝缘部、第1电极、栅极电极以及第2电极。第2半导体区域具有第1部分。第3半导体区域与第1部分在第2方向上排列。绝缘部的一侧与第1部分相接。绝缘部的另一侧与第3半导体区域相接。第1电极以及栅极电极被绝缘部包围。第1电极的至少一部分被第1半导体区域包围。栅极电极与第1电极隔开间隔设置。栅极电极在第2方向上与第2半导体区域相面对。第2电极设置在第3半导体区域之上。第2电极与第1电极以及第3半导体区域电连接。

公开(公告)号：CN102694009B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201110255941.6

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田刚志 ,  新井雅俊 ,  铃木诚和子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备第1半导体层、多个基区、源区、在沟槽内隔着栅绝缘膜设置的栅电极、在沟槽内于栅电极之下隔着场板绝缘膜设置的场板电极、第1主电极、及第2主电极。场板绝缘膜的一部分的厚度比栅绝缘膜的厚度厚，设置于一对沟槽内的场板绝缘膜的一部分彼此之间的第1半导体层的宽度比设置于一对沟槽内的栅绝缘膜彼此之间的基区的宽度窄，在第1半导体层和场板绝缘膜的一部分之间的界面的正上方未形成源区。

公开(公告)号：CN103516235A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310071378.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  新井雅俊

IPC: H02M7/12

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 一种不使用碳化硅等高价半导体材料也能实现反向恢复时间短、高耐压且高可靠性的整流电路。整流电路具备在第1端子及第2端子间串联连接的整流元件及单极场效应晶体管。整流元件具有第1电极及第2电极。在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。

公开(公告)号：CN103325829A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210315961.2

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  大田刚志 ,  安原纪夫 ,  新井雅俊 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种可微细化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的基极层，被设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第2半导体层，被设置在所述基极层上；多个栅电极，栅电极的上端比所述基极层的上表面位于上方，栅电极的下端比所述基极层的下表面位于下方，隔着栅极绝缘膜与所述第1半导体、所述第2半导体层及所述基极层接触；绝缘部件，被配置在所述栅电极上，所述绝缘部件的上表面比所述第2半导体层的上表面位于下方；以及导电膜，在所述栅电极之间，与所述栅电极相隔规定的距离，将所述第2半导体层的从上端至下端、以及所述第2半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖。

公开(公告)号：CN108461546B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN108461546A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53261 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN105957891A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201510533043.0

申请日：2015-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新井雅俊 ,  鉾本吉孝 ,  西胁达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0688

Abstract: 提供一种半导体装置，包括第一电极以及连接至第一电极的第一导电型的第一半导体层。半导体装置还包括：设置于第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层；设置于第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层；以及设置于第三半导体层上的第二电极。半导体装置还包括设置于第一电极与第二电极之间的第三电极。半导体装置还包括具有连接至第二电极的上端部的第四电极，其中，第四电极具有比第二电极高的电阻率。