公开(公告)号：CN104425405A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410069639.5

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田村幸治 ,  佐藤信幸 ,  新谷修央 ,  小泽慎也 ,  松冈长 ,  奥村秀树

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/77 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/53174 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 根据一个实施方式，提供一种散热连接体，搭载于半导体芯片上并且与所述半导体芯片以及引线框一起被模树脂密封，具有：散热部，具有块形状，并且从所述模树脂露出其上表面；以及连接部，从所述散热部的第1侧面延伸，并且将在所述半导体芯片上设置的电极和所述引线框电连接。进而，所述散热部以及所述连接部通过同一金属板一体地构成。

公开(公告)号：CN105072992A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019127.6

申请日：2014-03-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝医疗系统株式会社

Inventor： 田之上和也 ,  春日井隆夫 ,  小泽慎也

IPC: A61B5/055

CPC classification number: A61B5/7275 ,  A61B5/055 ,  A61B5/742 ,  A61B5/7445 ,  G01R33/288 ,  G01R33/543 ,  G01R33/546

Abstract: 实施方式的磁共振摄像装置是依次执行多个摄像单位的摄像的磁共振摄像装置，其特征在于，具备：计算部，计算所述多个摄像单位的累积的SAR(比吸收率，Specific Absorption Ratio)即长时间MR检查比吸收能量(Long MR Examination specific absorbed energy)的预测值；以及显示部，显示所述长时间MR检查比吸收能量的所述预测值相对于规定的安全基准值的信息。

公开(公告)号：CN108461546B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN108461546A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53261 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN117712059A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310053617.9

申请日：2023-02-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 神谷俊佑 ,  小泽慎也 ,  江熊修志 ,  泉泽优

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/13 ,  H01L23/488

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备基座部件、半导体芯片以及第一导电部件。所述基座部件具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面，包含设于所述第二面侧的凸部。所述半导体芯片经由第一连接部件安装在所述第二面上。所述半导体芯片具有第一电极、第二电极、控制焊盘以及半导体部，所述半导体部位于所述第一电极与所述第二电极之间以及所述第一电极与所述控制焊盘之间。所述第一连接部件连接于所述第一电极，所述控制焊盘与所述第二电极分离地设置。所述第一导电部件接合在所述第二电极上。所述半导体芯片被安装成，在与所述第二面垂直的第一方向上，所述第二电极与所述控制焊盘之间的空间与所述基座部件的所述凸部重叠。

公开(公告)号：CN103957786A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201380003171.3

申请日：2013-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝医疗系统株式会社

Inventor： 小泽慎也 ,  田之上和也 ,  渡边良照 ,  森田祯也

IPC: A61B5/055 ,  G01R33/34

CPC classification number: G01R33/543 ,  G01R33/3415

Abstract: 在一个实施方式中，MRI装置（10）具备分布图数据生成部（68）和判定部（65）。分布图数据生成部根据由第1RF线圈装置（100）及第2RF线圈装置（120）每一个的多个要素线圈分别接收到的来自被检体的MR信号，生成与多个要素线圈分别对应并表示MR信号的接收强度分布的多个分布图数据。判定部通过针对第1RF线圈装置、第2RF线圈装置每一个分析多个分布图数据，判定在第1RF线圈装置及第2RF线圈装置每一个中对磁共振成像有效的要素线圈。