公开(公告)号：CN105244381A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201410714978.4

申请日：2014-12-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤俊亮 ,  川口雄介 ,  野津哲郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407

Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型的半导体基板上，依次设有第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层以及第1导电型的第3半导体层。形成有：第1沟槽，将第2半导体层及第3半导体层贯通；第2沟槽，与第1沟槽离开；第3沟槽，与第2沟槽离开；第1槽，设置成俯视观察时与将第1沟槽、第2沟槽及第3沟槽连结的方向平行，具备：第1至第3绝缘膜，分别设在第1至第3沟槽的内部；第1至第3导电部，分别设在第1至第3沟槽的内部，并分别设在第1至第3绝缘膜的内侧；源极，与第1至第3导电部电连接，并设在第3半导体层上；第4绝缘膜，设在第1槽的内部；栅极，设在第4绝缘膜的内侧；以及漏极，设在半导体基板的背面侧。

公开(公告)号：CN104916693A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410398381.3

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川口雄介 ,  野津哲郎 ,  加藤俊亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供耐压高的半导体装置。包含第1和第2区域的半导体装置具备：第1电极、第1、第2半导体层、设置在第2区域的第3半导体层、多个第2、第3电极、第3绝缘膜、第4电极、第4绝缘膜、第5电极。第2电极隔着第1绝缘膜与第1区域的第2及第1半导体层及第2区域的第3、第2及第1半导体层对置。第3电极隔着第2绝缘膜与第1区域的第2及第1半导体层及第2区域的第3、第2及第1半导体层对置，在第2区域中的部分相互分离地设置。第3绝缘膜在第1区域的第2半导体层及第3电极上。第4电极在第1区域的第3绝缘膜及多个第2电极上。第4绝缘膜在第2区域的第2电极上。第5电极在第2区域的第3半导体层、第4绝缘膜及第3电极上。

公开(公告)号：CN104064589A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310376125.X

申请日：2013-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤俊亮 ,  川口雄介

IPC: H01L29/417

CPC classification number: H01L29/41741 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828

Abstract: 该半导体装置具备：第1导电型的漏极区域；漏极电极，与上述漏极区域电连接；以及第1导电型的半导体层，形成于上述漏极区域上，具有第一杂质浓度。该半导体装置进一步具备：第1导电型的源极区域，形成于上述半导体层，具有第二杂质浓度；第一源极电极，与上述源极区域电连接；栅极电极，一端位于上述源极区域的深度，另一端位于上述半导体层或漏极区域的深度，隔着绝缘膜而形成。第二源极电极在该栅极电极的下方的半导体层隔着绝缘膜而设置。与多个上述栅极电极之间的第一间隔相比，设定多个上述第二源极电极之间的第二间隔大。

公开(公告)号：CN108461546B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN108461546A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53261 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。