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公开(公告)号：CN103017795A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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公开(公告)号：CN102270727A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110070604.X
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
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公开(公告)号：CN102270720A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010282829.7
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/268 , H01L33/0079 , H01L33/40 , H01L33/50 , H01L2224/16
Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法。本发明的发光装置具备：包含发光层的半导体层，具有第一主面、与第一主面相反一侧的第二主面、以及连接第一主面和第二主面的第三主面；第一电极部和第二电极部，设置在半导体层的第二主面；第一绝缘膜，覆盖半导体层的第二主面和第三主面；以及金属层，层叠在第一电极部和第二电极部中的至少第二电极部上，并延伸到覆盖接近的第三主面的第一绝缘膜的延长部分上。
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公开(公告)号：CN109502538A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810194325.6
申请日：2018-03-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及连接结构及其制造方法以及传感器。实施方式涉及插头与硅锗层的连接结构。提供能减小插头与硅锗层之间的接触电阻的连接结构。实施方式涉及的连接结构包含：具有导电性的插头(20)；将插头(20)的侧面覆盖的第1绝缘膜(21、22)；和在插头(20)的上表面上设置且包含多晶硅锗层(25)和非晶硅锗层(26)的电极(24)。多晶硅锗层(25)对于插头(20)的上表面的至少一部分没有经由非晶硅锗层(26)地接触。
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公开(公告)号：CN105990495A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510093436.4
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能以简单的构造将多芯片封装体中的多个发光元件间连接的发光单元及半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置具有：多个发光元件，分别具有两个外部端子；及树脂层，一体地支持多个发光元件。多个发光元件包含沿第一方向排列的n个发光元件。n个发光元件的(2×n)个外部端子沿第一方向排列。(2×n)个外部端子中，第一方向的一端的外部端子与第一垫接合，第一方向的另一端的外部端子与第二垫接合，一端的外部端子与另一端的外部端子之间的外部端子与第三垫接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403889B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280010835.4
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、无机绝缘膜(14)、p侧互连部分(21)、n侧互连部分(22)和有机绝缘膜(20)。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部(21b)和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部(22b)重叠在有机绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN105452844A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480045049.7
申请日：2014-07-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N15/12 , G01N27/00 , G01N33/483 , G01N37/00
CPC classification number: B01L3/502753 , B01L2200/0647 , B01L2300/0645 , B01L2300/0681 , B01L2400/086 , G01N15/1031 , G01N15/1484 , G01N2015/0053 , G01N2015/1006 , G01N2015/1486
Abstract: 实施例之一是用于检测样品液体中的颗粒的半导体微处理的芯片。所述芯片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底上以允许样品液体在其中流动的第一流动沟槽；设置在与半导体基底的第一流动沟槽不同的位置处以允许样品液体或者电解溶液在其中流动的第二流动沟槽；在该处第一流动沟槽的一部分和第二流动沟槽的一部分以配置在流动沟槽之间的隔壁彼此邻接或者互相交叉的接触部分；和设置在所述接触部分的所述隔壁上以允许所述颗粒从其通过的精细孔。
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公开(公告)号：CN102683557B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210068814.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/0079 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。
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公开(公告)号：CN102270722B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110070617.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面、与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一电极被设置于第二主表面上的包括发光层的区域上。第二电极被设置于第二主表面上并且在平面图中至少部分内插到第一电极里面。
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公开(公告)号：CN103928595A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410171281.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
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