公开(公告)号：CN105473995A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046019.8

申请日：2014-07-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林贤太郎 ,  古山英人

IPC: G01N15/12 ,  G01N27/00 ,  G01N37/00 ,  C12M1/34

CPC classification number: G01N27/44791 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502723 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2300/069 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/0421 ,  G01N15/1031 ,  G01N27/4473 ,  G01N27/44743 ,  G01N2015/1006

Abstract: 根据一个实施例，一种用于检测样品液体中的颗粒的半导体微量分析芯片包括：半导体基底；流动沟槽，其设置在所述半导体基底的表面部分上以允许样品液体在其中流动，并且包括用于覆盖至少所述流动沟槽的上部的帽层；设置在所述流动沟槽的一部分处以允许在所述样品液体中的所述颗粒从其中通过的微孔；和设置在所述帽层中的多个孔。

公开(公告)号：CN105452844A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480045049.7

申请日：2014-07-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三木弘子 ,  古山英人 ,  小林贤太郎 ,  小岛章弘

IPC: G01N15/12 ,  G01N27/00 ,  G01N33/483 ,  G01N37/00

CPC classification number: B01L3/502753 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2400/086 ,  G01N15/1031 ,  G01N15/1484 ,  G01N2015/0053 ,  G01N2015/1006 ,  G01N2015/1486

Abstract: 实施例之一是用于检测样品液体中的颗粒的半导体微处理的芯片。所述芯片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底上以允许样品液体在其中流动的第一流动沟槽；设置在与半导体基底的第一流动沟槽不同的位置处以允许样品液体或者电解溶液在其中流动的第二流动沟槽；在该处第一流动沟槽的一部分和第二流动沟槽的一部分以配置在流动沟槽之间的隔壁彼此邻接或者互相交叉的接触部分；和设置在所述接触部分的所述隔壁上以允许所述颗粒从其通过的精细孔。

公开(公告)号：CN105452844B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201480045049.7

申请日：2014-07-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三木弘子 ,  古山英人 ,  小林贤太郎 ,  小岛章弘

IPC: G01N15/12 ,  G01N27/00 ,  G01N33/483 ,  G01N37/00

CPC classification number: B01L3/502753 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2400/086 ,  G01N15/1031 ,  G01N15/1484 ,  G01N2015/0053 ,  G01N2015/1006 ,  G01N2015/1486

Abstract: 实施例之一是用于检测样品液体中的颗粒的半导体微处理的芯片。所述芯片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底上以允许样品液体在其中流动的第一流动沟槽；设置在与半导体基底的第一流动沟槽不同的位置处以允许样品液体或者电解溶液在其中流动的第二流动沟槽；在该处第一流动沟槽的一部分和第二流动沟槽的一部分以配置在流动沟槽之间的隔壁彼此邻接或者互相交叉的接触部分；和设置在所述接触部分的所述隔壁上以允许所述颗粒从其通过的精细孔。