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公开(公告)号：CN101154709B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710161358.2
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F41/307 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。
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公开(公告)号：CN100592544C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810008901.X
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。
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公开(公告)号：CN101399312A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215231.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN100419905C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410061664.5
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。
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公开(公告)号：CN101162756A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710141632.X
申请日：2007-08-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101131866A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710141062.4
申请日：2007-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1693 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法。在执行读取时可以防止不经意的写入。用于在磁性存储层中写入信息的写入电流脉冲的持续时间比用于从磁性存储层读取信息的读取电流脉冲的持续时间长。
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公开(公告)号：CN1278306C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310124302.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/313 , G11B5/3143 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。
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公开(公告)号：CN101546807B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910127673.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，ν是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：
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公开(公告)号：CN100580968C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710141632.X
申请日：2007-08-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
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公开(公告)号：CN101399313A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215232.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A－1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
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