公开(公告)号：CN108055872A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201580082333.6

申请日：2015-09-09

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·马尼帕特鲁尼 ,  D·E·尼科诺夫 ,  A·乔杜里 ,  I·A·扬

IPC: G11C11/16

CPC classification number: H01F10/3254 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F41/32 ,  H01L27/228 ,  H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H03K19/18 ,  H03K19/23

Abstract: 描述了一种装置，其包括：输入铁磁体，所述输入铁磁体用于接收第一电荷流并产生第一自旋电流；第一层，所述第一层被配置为经由自旋轨道耦合(SOC)将所述第一自旋电流转换为第二电荷流，其中，所述第一层的至少一部分耦合到所述输入铁磁体；和第二层，所述第二层被配置为经由自旋轨道耦合(SOC)将所述第二电荷流转换为第二自旋电流。

公开(公告)号：CN108011036A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711008409.8

申请日：2017-10-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H03H7/06 ,  H03H11/04

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种利用纯自旋流的磁化反转的电流磁场辅助型自旋流磁化反转元件。本发明的电流磁场辅助型自旋流磁化反转元件(10)具备：磁化方向变化的第一铁磁性金属层(1)；沿相对于第一铁磁性金属层(1)的垂直方向即第一方向正交的面内的第二方向延伸且与上述第一铁磁性金属层(1)接合的自旋轨道转矩配线(2)；以及以利用绝缘层(4)与第一铁磁性金属层(1)电绝缘的方式配置且其中流通用于形成辅助第一铁磁性金属层(1)的磁化反转的磁场H0的电流I0的电流磁场辅助用配线(3)。

公开(公告)号：CN107924993A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082488.X

申请日：2015-09-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·L·多齐 ,  B·S·多伊尔 ,  C·C·郭 ,  K·奥乌兹 ,  K·P·奥布莱恩 ,  S·苏里 ,  T·K·因杜库里

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F41/34 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 公开了用于制造自旋转移矩存储器(STTM)元件的技术。在一些实施例中，该技术包括用于去除再沉积的层和/或中断在STTM元件的一个或多个侧壁上形成的再沉积层在其形成期间的电气连续性的方法。还描述了包括这样的STTM元件的器件和系统。

公开(公告)号：CN102800804B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201210152766.2

申请日：2012-05-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 肥后丰 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  浅山徹哉 ,  山根一阳 ,  内田裕行

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  B82Y25/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包含：存储层，其通过磁性材料的磁化状态保持信息；具有磁化的磁化固定层，该磁化被用作存储在存储层中的信息的基础；非磁性物质的中间层，设置在存储层和磁化固定层之间。存储元件被构造为，通过使用自旋扭矩磁化反转使存储层的磁化进行反转来存储信息，自旋扭矩磁化反转通过电流在包含存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动而产生，在存储层的饱和磁化和厚度分别由Ms（emu/cc）和t（nm）表示时，（1489/Ms）-0.593

公开(公告)号：CN103959407B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280057911.7

申请日：2012-11-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 肥后丰 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  浅山徹哉 ,  山根一阳 ,  内田裕行

IPC: H01F10/32 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 一种存储元件，包括：磁化固定层和磁化自由层。所述磁化固定层包括与形成在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层。所述铁磁层的磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向倾斜。

公开(公告)号：CN102315383B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201110125939.7

申请日：2011-05-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 内田裕行 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  肥后豊 ,  山根一阳

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了存储元件、存储元件的制造方法以及存储器。所述存储元件包括：存储层，其用于基于磁性材料的磁化状态来保持信息；以及磁化固定层，其相对所述存储层设置，且在所述磁化固定层与所述存储层之间设有隧道势垒层，其中，所述隧道势垒层具有0.1nm～0.6nm的厚度以及小于0.5nm的界面粗糙度，并且通过在堆叠方向上施加电流并注入自旋极化电子来改变所述存储层的磁化方向，由此在所述存储层中存储信息。本发明的实施例能够提供可使功耗降低的存储元件和存储器。

公开(公告)号：CN102272846B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN200980154227.9

申请日：2009-12-02

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： D·里德 ,  Y·陆 ,  S·薛 ,  P·安德森

IPC: G11C11/16 ,  G01R33/00 ,  G11B5/66 ,  H01F10/32

CPC classification number: H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254

Abstract: 用于使用单向写电流在诸如改良的STRAM单元等非易失性存储器单元中存储不同逻辑状态的方法与装置。在一些实施例中，存储器单元具有与被包覆的导体相邻的未固定铁磁基准层、铁磁存储层、以及在基准层与存储层之间的隧穿阻挡体。电流沿着被包覆导体的通过在基准层中感生所选磁性取向，所选磁性取向通过隧穿阻挡体转移以用于由存储层来存储。此外，施加步骤的取向由与导体相邻的包层提供，电流沿着该导体被传递，且电流在所选磁性取向的包层中感生磁场。

公开(公告)号：CN104395964A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032769.5

申请日：2013-06-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 韦恩·I·肯尼 ,  维托·库拉 ,  斯蒂芬·J·克拉梅尔

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明揭示存储器单元。所述存储器单元内的磁性区包含磁性子区与耦合器子区的交替结构。所述耦合器子区的耦合器材料以反铁磁方式耦合相邻磁性子区，且实现或促进所述相邻磁性子区所展现的垂直磁性定向。通过耦合器子区彼此间隔开的相邻磁性子区展现相反指向的磁性定向。所述磁性子区及耦合器子区可各自为经定制而以紧凑结构形成所述磁性区的厚度。可减少或消除从所述磁性区发射的磁性偶极场之间对所述存储器单元中的自由区的切换的干扰。本发明还揭示半导体装置结构、自旋扭矩转移磁性随机存取存储器STT-MRAM系统及制作方法。

公开(公告)号：CN104170074A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380015011.0

申请日：2013-03-25

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 佐藤英夫 ,  深见俊辅 ,  山内路彦 ,  池田正二 ,  松仓文礼 ,  大野英男

IPC: H01L21/8246 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供在膜面内进行垂直磁化记录的记录层的热稳定性高的磁阻效应元件及使用了该磁阻效应元件的磁存储器。所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一强磁性层(106)、磁化方向可变的第二强磁性层(109)、设置在第一强磁性层(106)和第二强磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一强磁性层及第二强磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二强磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二强磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三强磁性层(204)、设置在第三强磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205)；所述第二强磁性层(109)与所述第三强磁性层(204)磁化方向相同，通过电流进行自旋注入磁化反转。

公开(公告)号：CN102916126A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210260559.9

申请日：2012-07-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山根一阳 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  肥后丰 ,  浅山徹哉 ,  内田裕行

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  B82Y25/00

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。