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公开(公告)号：CN114512149B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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公开(公告)号：CN113763993B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110210042.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。
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公开(公告)号：CN113129932B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202010950143.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN114927147A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN101373597B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810210004.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/17 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B2005/0002 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头，其包括主磁极、层叠体和一对电极。所述层叠体第一磁层、第二磁层和中间层，该第一磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，该第二磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，并且该中间层设置在所述第一磁层和第二磁层之间。所述一对电极可操作地使电流通过所述层叠体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101383153A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810129877.5
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/102 , G11B5/314 , G11B5/6064 , G11B5/607 , G11B2005/0005 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明涉及采用高频辅助写入的磁头和磁盘驱动器。所述磁头具有磁头滑块，该磁头滑块装载着磁头单元(10)，该磁头单元包括用来控制飞行高度的加热元件和用来进行高频辅助写入的高频振荡器，在所述磁头滑块上，与磁头元件相连接的接线端子的所需数目最少。接线端子(11到15)安装在所述磁头滑块上并与所述磁头单元(10)相连。所述接线端子(11到15)包括至少一个提供电流的接线端子，其中该接线端子与所述高频振荡器和所述用来控制飞行高度的加热元件相连。
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公开(公告)号：CN100382353C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410083163.7
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F41/32 , H01F41/325 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。
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公开(公告)号：CN100347748C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410094160.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F41/325
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。该一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。
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公开(公告)号：CN101047229A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089699.3
申请日：2007-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/398 , G11B5/455 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 磁阻效应元件包括磁化固定层、分隔层和磁化自由层，该磁化固定层含有第一晶粒，并具有基本固定在一个方向上的磁化方向；该分隔层配置在磁化固定层上并且含有绝缘层和贯通绝缘层的金属导体；该磁化自由层含有第二晶粒，并配置在分隔层上与金属导体相对，并且具有对应外部磁场改变的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1323386C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410058625.X
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/324 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化，和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层，该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径，非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分，该部分为感应区。
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