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公开(公告)号：CN100411217C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410077156.6
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , G11B5/3983 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01L43/08
Abstract: 利用电流垂直平面(CPP)系统的双自旋阀类型的磁电阻效应元件，其中传感电流的流向与多个导电层的堆叠面垂直，该磁电阻效应元件包括包含自由层(5)和第一个钉扎层(7)的第一单元(U1)、包含与第一单元共享的自由层(5)和第二钉扎层(3)的第二单元(U2)、在第一单元(U1)中提供并限制传感电流的流量的第一电流控制层(9)、在第二单元(U2)中提供并限制传感电流的流量的第二电流控制层(8)。
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公开(公告)号：CN1595676A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410077156.6
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , G11B5/3983 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01L43/08
Abstract: 利用电流垂直平面(CPP)系统的双自旋阀类型的磁电阻效应元件，其中传感电流的流向与多个导电层的堆叠面垂直，该磁电阻效应元件包括包含自由层(5)和第一个钉扎层(7)的第一单元(U1)、包含与第一单元共享的自由层(5)和第二钉扎层(3)的第二单元(U2)、在第一单元(U1)中提供并限制传感电流的流量的第一电流控制层(9)、在第二单元(U2)中提供并限制传感电流的流量的第二电流控制层(8)。
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公开(公告)号：CN1308313A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN00135320.9
申请日：2000-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3106 , G11B2005/0029 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49815
Abstract: 本发明的目的是通过以微小量正确且再现性良好地控制主磁极、辅助磁极、线圈、回程偏转线圈距媒体对向面的凹槽量,提供一种使产生的磁场稳定而且倍增的磁头以及其制造方法和磁记录装置。在与媒体对向面平行设置的薄膜上,使薄膜状磁单元叠层,构成磁头。在薄膜上设置开口,主磁极的一部分具有在该开口延出的尖端部。这样,可以高精度地控制薄膜状磁单元距媒体对向面的凹槽量,同时,主磁极尖端部的突出量也可由薄膜的膜厚极微小且精密地控制。其结果将使在主磁极尖端部的记录磁场强度增大到最终值,从而提供一种可在高密度对应的高保持力的媒体上进行记录的磁头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1206624C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN00135320.9
申请日：2000-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3106 , G11B2005/0029 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49815
Abstract: 本发明的目的是通过以微小量正确且再现性良好地控制主磁极、辅助磁极、线圈、回程偏转线圈距媒体对向面的凹槽量，提供一种使产生的磁场稳定而且倍增的磁头以及其制造方法和磁记录装置。在与媒体对向面平行设置的薄膜上，使薄膜状磁单元叠层，构成磁头。在薄膜上设置开口，主磁极的一部分具有在该开口延出的尖端部。这样，可以高精度地控制薄膜状磁单元距媒体对向面的凹槽量，同时，主磁极尖端部的突出量也可由薄膜的膜厚极微小且精密地控制。其结果将使在主磁极尖端部的记录磁场强度增大到最终值，从而提供一种可在高密度对应的高保持力的媒体上进行记录的磁头。
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公开(公告)号：CN1534605A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200310124302.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/313 , G11B5/3143 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。
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公开(公告)号：CN1306476C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410092579.5
申请日：2004-11-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/1272 , G11B5/33 , G11B5/39
Abstract: 公开了一种CCP-CPP-GMR磁头组件，它具有：一个CCP-CPP-GMR磁头，它至少具有一个电流控制层，作为微观结构该电流控制层具有多个截锥导电体，所述截锥导电体的轴基本上和电流方向相同，以及具有填充在所述多个截锥导电体之间的绝缘体，其中在其上所述多个截锥导电体的较大面积基面为较大侧的表面是电流控制层的第一表面，第一表面相对一侧的表面是电流控制层的第二表面；以及一个感测电流源，用于向CCP-CPP-GMR磁头提供感测电流以使该电流从电流控制层的第二表面流向第一表面。还公开了一种具有这种磁头的磁记录/再现设备，及一种CCP-CPP-GMR磁头的适当感测电流方向的指定方法。
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公开(公告)号：CN1278306C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310124302.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/313 , G11B5/3143 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。
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公开(公告)号：CN1661681A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410092579.5
申请日：2004-11-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/1272 , G11B5/33 , G11B5/39
Abstract: 公开了一种CCP－CPP－GMR磁头组件，它具有：一个CCP－CPP－GMR磁头，它至少具有一个电流控制层，作为微观结构该电流控制层具有多个截锥导电体，所述截锥导电体的轴基本上和电流方向相同，以及具有填充在所述多个截锥导电体之间的绝缘体，其中在其上所述多个截锥导电体的较大面积基面为较大侧的表面是电流控制层的第一表面，第一表面相对一侧的表面是电流控制层的第二表面；以及一个感测电流源，用于向CCP－CPP－GMR磁头提供感测电流以使该电流从电流控制层的第二表面流向第一表面。还公开了一种具有这种磁头的磁记录/再现设备，及一种CCP－CPP－GMR磁头的适当感测电流方向的指定方法。
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