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公开(公告)号：CN101399312A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215231.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN101399312B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810215231.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件以及磁性存储器。磁电阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN101399313B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810215232.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件(10)包括：具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A-1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409326B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810169881.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/123 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds＊)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。
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公开(公告)号：CN101546807A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127673.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|×a1/2－a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。
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公开(公告)号：CN101546807B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910127673.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，ν是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：
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公开(公告)号：CN101409326A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810169881.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/123 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds*)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。
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公开(公告)号：CN101399313A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215232.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A－1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
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