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公开(公告)号:CN1295344A
公开(公告)日:2001-05-16
申请号:CN00133424.7
申请日:2000-11-03
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 本多广一
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L23/293 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/02333 , H01L2224/0401 , H01L2224/1134 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/274 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 在倒装片型半导体器件中,多个平头电极(12、32)形成在半导体基片(11、31)上。由固化树脂制成的绝缘应力吸收树脂层(14、34、34’)形成在半导体基片上,并具有对应平头电极的开口(14a、34a)。多个柔性传导部件(16、21、36、38、51、61)填充在开口内。多个金属凸块(17)形成在柔性传导层上。
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公开(公告)号:CN101512758A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200780032766.6
申请日:2007-09-04
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
Abstract: 一种布线板复合体,其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此,在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体,并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN1317759C
公开(公告)日:2007-05-23
申请号:CN200310114329.2
申请日:2003-11-12
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H05K1/0346 , H01L23/145 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H05K3/205 , H05K3/386 , H05K3/423 , H05K3/4644 , H05K2201/0154 , H05K2203/0733 , H01L2224/0401
Abstract: 提供了一种印刷电路板,包括下互连、下互连上形成的基底绝缘膜、基底绝缘膜上形成的通孔、以及通过通孔连接至下互连的上互连。基底绝缘膜的厚度约为3~100μm,并且在温度为23℃时的断裂强度约为80MPa或更大,并且当定义绝缘膜在温度-65℃具有断裂强度“a”且在温度150℃具有断裂强度“b”时,比值(a/b)为约4.5或更小。
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公开(公告)号:CN1297253A
公开(公告)日:2001-05-30
申请号:CN00131648.6
申请日:2000-10-08
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 本多广一
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/16195 , H01L2924/18161 , H01L2924/351 , H05K3/20 , H05K3/467 , H05K3/4682 , Y10S438/977 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 一种半导体装置,在由多层布线层形成的多层布线基板的制造工序中,由金属板形成的基体产生力学上的约束,制造中的各层的平面度由金属板的平面度高度保持,可以抑制层构造的弯曲发生。优选其基层具有缓冲性。应变少的多层布线层可以将其厚度做薄,可以缩短布线间距,降低制造成本。在多个金属层和多个应力吸收层形成的基层上,隔离高度增大,可进一步具有缓冲效果,大幅度降低成本和提高布线间距的微细化后的成品率。
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公开(公告)号:CN1289147A
公开(公告)日:2001-03-28
申请号:CN00124859.6
申请日:2000-09-15
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L21/4832 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4951 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73203 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/15151 , H01L2924/15183 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种形成模压封装的半导体器件的方法,包括下列步骤:在具有金属互连图形的金属板上安装半导体芯片;将半导体芯片封装于金属互连图形上;通过腐蚀去除金属板的底部,露出金属互连图形;和在金属互连图形的底部上形成外部端子。该方法可减小半导体器件的厚度以及平面尺寸。
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