公开(公告)号：CN109256334A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810771205.8

申请日：2018-07-13

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  M·布夫尼彻尔 ,  E·拉孔德

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/329 ,  H01L23/31 ,  H01L29/861

Abstract: 本公开的实施例涉及一种用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法。侧向绝缘的集成电路芯片从半导体晶圆制得。外围沟槽被形成在晶圆中，所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片。所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度。外围沟槽通过重复下列相继步骤的过程而形成：a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻；以及b)使用八氟环丁烷等离子体进行钝化。在完成形成所述外围沟槽的步骤时，所述外围沟槽的侧向壁被聚氟乙烯的绝缘层所覆盖。在所述晶圆的较低表面上执行减薄步骤，直到到达所述外围沟槽的底部。所述绝缘层不被移除。

公开(公告)号：CN107293539A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610860938.X

申请日：2016-09-21

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  A·弗罗伦斯

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0676 ,  H01L28/40 ,  H01L29/866 ,  H01L27/0288

Abstract: 本公开的实施例涉及具有可调节的触发阈值的静电放电保护装置。该静电放电保护装置包括：第一和第二二极管，其串联设置在该装置的第一和第二连接端子之间；第三连接端子，其耦合到第一和第二二极管的连接点；以及电容器，其与第一和第二二极管并联设置在第一和第二端子之间。

公开(公告)号：CN105990825A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510846197.5

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·鲍格里内 ,  M·罗维瑞

IPC: H02H9/04

Abstract: 本申请涉及过电压保护装置。该装置可以用于供电线路中的过电压保护。该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。

公开(公告)号：CN212676263U

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202021138008.1

申请日：2020-06-18

Applicant: 意法半导体应用有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  A·伊万 ,  M·萨德纳 ,  V·斯卡尔帕

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 一种电子组件，包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子，形成在氮化镓衬底上；场效应功率晶体管，形成在氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第一连接端子和晶体管的栅极之间；以及第二肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第二连接端子和晶体管的栅极之间。通过本公开的实施例，可以例如保护晶体管的栅极而不降低开关速度。

公开(公告)号：CN205265251U

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201520963596.5

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·鲍格里内 ,  M·罗维瑞

IPC: H02H9/04

CPC classification number: H02H9/04 ,  H02H9/041 ,  H02H9/042 ,  H02H9/043

Abstract: 本申请涉及用于供电线路中的过电压保护的装置。该装置可以用于供电线路中的过电压保护。该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。根据本实用新型的方案，可以提供对于供电线路中的过电压保护。

公开(公告)号：CN206516631U

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201621089402.4

申请日：2016-09-21

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  A·弗罗伦斯

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0676 ,  H01L28/40 ,  H01L29/866

Abstract: 本公开的实施例涉及防止静电放电的保护装置以及电子系统。该静电放电保护装置包括：第一和第二二极管，其串联设置在该装置的第一和第二连接端子之间；第三连接端子，其耦合到第一和第二二极管的连接点；以及电容器，其与第一和第二二极管并联设置在第一和第二连接端子之间。

公开(公告)号：CN204966493U

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201520449978.6

申请日：2015-06-26

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  L·穆安德龙 ,  C·巴龙

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H02H3/20 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0761 ,  H01L28/20 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/87 ,  H01L29/872

Abstract: 一种集成电路，包括：垂直肖克利二极管，所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括：第一导电类型的第一区域，第二导电类型的衬底，以及所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从顶部至底部包括：所述衬底的一部分，该部分由垂直壁与所述肖克利二极管分离，所述第二区域的一部分，第四区域，所述第四区域与形成在所述第二区域的一部分中的第三区域的导电类型相同，所述第三区域连接至所述第四区域。

公开(公告)号：CN208706624U

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201821113815.0

申请日：2018-07-13

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  M·布夫尼彻尔 ,  E·拉孔德

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/861 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开的实施例涉及电子集成电路芯片。该电子集成电路芯片，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的一个或多个电子部件；以及聚氟乙烯的绝缘层，所述聚氟乙烯的绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间，所述聚氟乙烯的绝缘层覆盖所述半导体衬底的限定所述集成电路芯片的外周界的侧向面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利