公开(公告)号：CN112117271A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010561803.X

申请日：2020-06-18

Applicant: 意法半导体应用有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  A·伊万 ,  M·萨德纳 ,  V·斯卡尔帕

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。

公开(公告)号：CN212676263U

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202021138008.1

申请日：2020-06-18

Applicant: 意法半导体应用有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  A·伊万 ,  M·萨德纳 ,  V·斯卡尔帕

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 一种电子组件，包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子，形成在氮化镓衬底上；场效应功率晶体管，形成在氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第一连接端子和晶体管的栅极之间；以及第二肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第二连接端子和晶体管的栅极之间。通过本公开的实施例，可以例如保护晶体管的栅极而不降低开关速度。

公开(公告)号：CN112994139A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011460855.4

申请日：2020-12-11

Applicant: 意法半导体公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  J·布劳塞 ,  K·格朗热 ,  M·萨德纳

IPC: H02J7/00 ,  H02H3/20

Abstract: 本公开的各实施例涉及过压保护。供电接口包括将输入端子耦合到输出端子的第一开关。分压电桥被耦合以接收供电电位。比较器具有连接至电桥的第一节点的第一输入端、以及被配置为接收恒定电位的第二输入端。数模转换器生成控制电压，该控制电压通过第二开关选择性地耦合到电桥的第二节点。电路控制基于操作模式控制第二开关的致动并且基于施加到输入端子的供电电位的经协商的设定点来生成输入到转换器的数字值。

公开(公告)号：CN214506577U

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202022970729.5

申请日：2020-12-11

Applicant: 意法半导体公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  J·布劳塞 ,  K·格朗热 ,  M·萨德纳

IPC: H02J7/00 ,  H02H3/20

Abstract: 本公开的各实施例涉及供电接口。供电接口包括将输入端子耦合到输出端子的第一开关。分压电桥被耦合以接收供电电位。比较器具有连接至电桥的第一节点的第一输入端、以及被配置为接收恒定电位的第二输入端。数模转换器生成控制电压，该控制电压通过第二开关选择性地耦合到电桥的第二节点。电路控制基于操作模式控制第二开关的致动并且基于施加到输入端子的供电电位的经协商的设定点来生成输入到转换器的数字值。根据本公开的实施例的供电接口的优点在于提供了过电压保护。