公开(公告)号：CN112117271A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010561803.X

申请日：2020-06-18

Applicant: 意法半导体应用有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  A·伊万 ,  M·萨德纳 ,  V·斯卡尔帕

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。

公开(公告)号：CN212676263U

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202021138008.1

申请日：2020-06-18

Applicant: 意法半导体应用有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  A·伊万 ,  M·萨德纳 ,  V·斯卡尔帕

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 一种电子组件，包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子，形成在氮化镓衬底上；场效应功率晶体管，形成在氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第一连接端子和晶体管的栅极之间；以及第二肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第二连接端子和晶体管的栅极之间。通过本公开的实施例，可以例如保护晶体管的栅极而不降低开关速度。