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公开(公告)号：CN112117271A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010561803.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 意法半导体应用有限公司 , 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M1/32
Abstract: 单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN109473428B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910023468.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/732 , H01L29/87 , H01L23/64 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN105990825B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510846197.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本申请涉及过电压保护装置。该装置可以用于供电线路中的过电压保护。该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。
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公开(公告)号：CN107293539B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610860938.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本公开的实施例涉及具有可调节的触发阈值的静电放电保护装置。该静电放电保护装置包括：第一和第二二极管，其串联设置在该装置的第一和第二连接端子之间；第三连接端子，其耦合到第一和第二二极管的连接点；以及电容器，其与第一和第二二极管并联设置在第一和第二端子之间。
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公开(公告)号：CN105226053A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510363846.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0629 , H01L27/0761 , H01L28/20 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/7395 , H01L29/7827 , H01L29/87 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109256334B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201810771205.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/56 , H01L21/329 , H01L23/31 , H01L29/861
Abstract: 本公开的实施例涉及一种用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法。侧向绝缘的集成电路芯片从半导体晶圆制得。外围沟槽被形成在晶圆中，所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片。所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度。外围沟槽通过重复下列相继步骤的过程而形成：a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻；以及b)使用八氟环丁烷等离子体进行钝化。在完成形成所述外围沟槽的步骤时，所述外围沟槽的侧向壁被聚氟乙烯的绝缘层所覆盖。在所述晶圆的较低表面上执行减薄步骤，直到到达所述外围沟槽的底部。所述绝缘层不被移除。
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公开(公告)号：CN109473428A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201910023468.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/732 , H01L29/87 , H01L23/64 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN105226053B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510363846.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN112994139A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011460855.4
申请日：2020-12-11
Applicant: 意法半导体公司 , 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及过压保护。供电接口包括将输入端子耦合到输出端子的第一开关。分压电桥被耦合以接收供电电位。比较器具有连接至电桥的第一节点的第一输入端、以及被配置为接收恒定电位的第二输入端。数模转换器生成控制电压，该控制电压通过第二开关选择性地耦合到电桥的第二节点。电路控制基于操作模式控制第二开关的致动并且基于施加到输入端子的供电电位的经协商的设定点来生成输入到转换器的数字值。
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公开(公告)号：CN109256334A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810771205.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/56 , H01L21/329 , H01L23/31 , H01L29/861
Abstract: 本公开的实施例涉及一种用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法。侧向绝缘的集成电路芯片从半导体晶圆制得。外围沟槽被形成在晶圆中，所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片。所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度。外围沟槽通过重复下列相继步骤的过程而形成：a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻；以及b)使用八氟环丁烷等离子体进行钝化。在完成形成所述外围沟槽的步骤时，所述外围沟槽的侧向壁被聚氟乙烯的绝缘层所覆盖。在所述晶圆的较低表面上执行减薄步骤，直到到达所述外围沟槽的底部。所述绝缘层不被移除。
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