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公开(公告)号：CN109473428B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910023468.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/732 , H01L29/87 , H01L23/64 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN104811198A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510031842.8
申请日：2015-01-22
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H03M1/10
CPC classification number: H02J7/0072 , G01R27/2605 , H01Q5/335 , H02J7/0052 , H02J7/345 , H03J3/04
Abstract: 本公开涉及BST电容器控制电路的校准，并且具体涉及一种用于控制具有通过偏置可设定的电容的电容器的电路，包括：至少一个端子，用于接收取决于电容的期望值的数字设定点值；用于确定电容相对于标称值的漂移的电路；以及根据所确定的漂移向所述数字设定点值施加校正的电路。
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公开(公告)号：CN116264122A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211603663.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 , 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 本公开的实施例涉及电感部件及制造方法。一种集成电路器件包括至少一个电感部件，该电感部件具有至少一个集成金属绕组，该金属绕组至少部分地嵌入涂层中。涂层包括至少一种铁磁材料。涂层可选地包括非磁性材料，例如电介质。
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公开(公告)号：CN109473428A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201910023468.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/732 , H01L29/87 , H01L23/64 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN105226053B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510363846.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115938757A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211209950.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 本公开的实施例涉及封装件衬底中的变压器。本发明涉及器件，所述器件包括：至少一个芯片，在封装件中，封装件包括支撑件，支撑件上具有搁置在其上的至少一个芯片；以及保护层，覆盖至少一个芯片，支撑件包括由绝缘材料制成的堆叠层，变压器由第一导电轨道和第二导电轨道形成在支撑件中。
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公开(公告)号：CN104811198B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510031842.8
申请日：2015-01-22
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本公开涉及BST电容器控制电路的校准，并且具体涉及一种用于控制具有通过偏置可设定的电容的电容器的电路，包括：至少一个端子，用于接收取决于电容的期望值的数字设定点值；用于确定电容相对于标称值的漂移的电路；以及根据所确定的漂移向所述数字设定点值施加校正的电路。
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公开(公告)号：CN105226053A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510363846.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0629 , H01L27/0761 , H01L28/20 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/7395 , H01L29/7827 , H01L29/87 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN204966493U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520449978.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0629 , H01L27/0761 , H01L28/20 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/7395 , H01L29/7827 , H01L29/87 , H01L29/872
Abstract: 一种集成电路，包括：垂直肖克利二极管，所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括：第一导电类型的第一区域，第二导电类型的衬底，以及所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从顶部至底部包括：所述衬底的一部分，该部分由垂直壁与所述肖克利二极管分离，所述第二区域的一部分，第四区域，所述第四区域与形成在所述第二区域的一部分中的第三区域的导电类型相同，所述第三区域连接至所述第四区域。
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公开(公告)号：CN219658518U
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202223348081.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 , 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 本公开的实施例涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括由一个或多个集成金属绕组形成的电感部件，其中每个集成金属绕组至少部分地嵌入涂层中，所述涂层至少包括铁磁层。涂层还包括电介质层。
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