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公开(公告)号：CN112117271A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010561803.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 意法半导体应用有限公司 , 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M1/32
Abstract: 单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN212676263U
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202021138008.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 意法半导体应用有限公司 , 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M1/32
Abstract: 一种电子组件，包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子，形成在氮化镓衬底上；场效应功率晶体管，形成在氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第一连接端子和晶体管的栅极之间；以及第二肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第二连接端子和晶体管的栅极之间。通过本公开的实施例，可以例如保护晶体管的栅极而不降低开关速度。
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公开(公告)号：CN114678428A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111589027.5
申请日：2021-12-23
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/40 , H01L29/41
Abstract: 本公开涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。
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公开(公告)号：CN106486553A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610108585.8
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： A·伊万
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置在AlGaN层中和AlGaN层上。第一过孔从第一金属化层朝向硅支撑部延伸。第二过孔从第二金属化层朝向上表面延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486553B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201610108585.8
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： A·伊万
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置在AlGaN层中和AlGaN层上。第一过孔从第一金属化层朝向硅支撑部延伸。第二过孔从第二金属化层朝向上表面延伸。
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公开(公告)号：CN104821341A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510058744.3
申请日：2015-02-04
Applicant: 意法半导体(图尔)公司 , 国家科学研究中心 , 法国国立图尔大学
IPC: H01L29/872 , H01L23/485
Abstract: 本发明涉及一种垂直氮化镓肖特基二极管，包括：由堆叠覆盖的导体或半导体衬底，该堆叠从衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层、第一N型掺杂GaN层、以及具有比第一层低的掺杂水平的第二N型掺杂GaN层；在第二GaN层的与衬底相对的第一表面上的肖特基接触；以及将第一GaN层的与衬底相对的第一表面连接至衬底的第一金属层，所述金属层位于开口中，开口位于堆叠的未由肖特基接触覆盖的区域中，该开口从第二层的第一表面延伸至衬底。
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公开(公告)号：CN217691182U
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202123264016.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/40 , H01L29/41
Abstract: 本公开涉及电子装置，例如涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。
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公开(公告)号：CN205406530U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620147582.0
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： A·伊万
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872 , H01L23/481 , H01L27/0207 , H01L27/0814 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/417 , H01L29/66212
Abstract: 为了降低导通状态中的电阻，本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置在AlGaN层中和AlGaN层上。第一过孔从第一金属化层朝向硅支撑部延伸。第二过孔从第二金属化层朝向上表面延伸。根据实施例的肖特基二极管的优点在于导通状态中电阻低。
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公开(公告)号：CN204516775U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201520079978.1
申请日：2015-02-04
Applicant: 意法半导体(图尔)公司 , 国家科学研究中心 , 法国国立图尔大学
IPC: H01L29/872 , H01L23/485
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/66143 , H01L29/66212
Abstract: 本实用新型涉及一种肖特基二极管，包括：半导体衬底，由堆叠覆盖，堆叠从衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层、第一N型掺杂GaN层、以及具有比第一层低掺杂水平的第二N型掺杂GaN层；肖特基接触，在第二GaN层的与衬底相对的第一表面上；第一金属层，将第一GaN层的与衬底相对的第一表面连接至衬底，金属层位于外围开口中，外围开口位于堆叠的未由肖特基接触覆盖的区域中，该开口从第二层的第一表面延伸至衬底；以及第二金属层，覆盖与衬底的第一表面相对的衬底的第二表面。
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