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公开(公告)号：CN109546640B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910011078.6
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。
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公开(公告)号：CN106356827A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610113619.2
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
CPC classification number: H04M1/745 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L29/0638 , H01L29/74 , H02H9/041 , H02H9/043 , H04M3/005 , H04M3/18 , H04M19/08 , H04M2201/80
Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。
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公开(公告)号：CN105226053A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510363846.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0629 , H01L27/0761 , H01L28/20 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/7395 , H01L29/7827 , H01L29/87 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN109546640A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910011078.6
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。
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公开(公告)号：CN109473428A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201910023468.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/732 , H01L29/87 , H01L23/64 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106356827B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610113619.2
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。
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公开(公告)号：CN105226053B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510363846.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN109473428B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910023468.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/732 , H01L29/87 , H01L23/64 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
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公开(公告)号：CN204966493U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520449978.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0629 , H01L27/0761 , H01L28/20 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/7395 , H01L29/7827 , H01L29/87 , H01L29/872
Abstract: 一种集成电路，包括：垂直肖克利二极管，所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括：第一导电类型的第一区域，第二导电类型的衬底，以及所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从顶部至底部包括：所述衬底的一部分，该部分由垂直壁与所述肖克利二极管分离，所述第二区域的一部分，第四区域，所述第四区域与形成在所述第二区域的一部分中的第三区域的导电类型相同，所述第三区域连接至所述第四区域。
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公开(公告)号：CN205724872U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620153580.2
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
CPC classification number: H04M1/745 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L29/0638 , H01L29/74 , H02H9/041 , H02H9/043 , H04M3/005 , H04M3/18 , H04M19/08 , H04M2201/80
Abstract: 本实用新型涉及用于保护线路免于过电压的结构和过电压保护电路。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。
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