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公开(公告)号：CN107293539A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610860938.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L23/3114 , H01L27/0255 , H01L27/0676 , H01L28/40 , H01L29/866 , H01L27/0288
Abstract: 本公开的实施例涉及具有可调节的触发阈值的静电放电保护装置。该静电放电保护装置包括：第一和第二二极管，其串联设置在该装置的第一和第二连接端子之间；第三连接端子，其耦合到第一和第二二极管的连接点；以及电容器，其与第一和第二二极管并联设置在第一和第二端子之间。
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公开(公告)号：CN105990825A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510846197.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本申请涉及过电压保护装置。该装置可以用于供电线路中的过电压保护。该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。
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公开(公告)号：CN212676263U
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202021138008.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 意法半导体应用有限公司 , 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M1/32
Abstract: 一种电子组件，包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子，形成在氮化镓衬底上；场效应功率晶体管，形成在氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第一连接端子和晶体管的栅极之间；以及第二肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第二连接端子和晶体管的栅极之间。通过本公开的实施例，可以例如保护晶体管的栅极而不降低开关速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214506577U
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202022970729.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 意法半导体公司 , 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及供电接口。供电接口包括将输入端子耦合到输出端子的第一开关。分压电桥被耦合以接收供电电位。比较器具有连接至电桥的第一节点的第一输入端、以及被配置为接收恒定电位的第二输入端。数模转换器生成控制电压，该控制电压通过第二开关选择性地耦合到电桥的第二节点。电路控制基于操作模式控制第二开关的致动并且基于施加到输入端子的供电电位的经协商的设定点来生成输入到转换器的数字值。根据本公开的实施例的供电接口的优点在于提供了过电压保护。
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公开(公告)号：CN205265251U
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201520963596.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本申请涉及用于供电线路中的过电压保护的装置。该装置可以用于供电线路中的过电压保护。该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。根据本实用新型的方案，可以提供对于供电线路中的过电压保护。
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公开(公告)号：CN206516631U
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201621089402.4
申请日：2016-09-21
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L23/3114 , H01L27/0255 , H01L27/0676 , H01L28/40 , H01L29/866
Abstract: 本公开的实施例涉及防止静电放电的保护装置以及电子系统。该静电放电保护装置包括：第一和第二二极管，其串联设置在该装置的第一和第二连接端子之间；第三连接端子，其耦合到第一和第二二极管的连接点；以及电容器，其与第一和第二二极管并联设置在第一和第二连接端子之间。
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公开(公告)号：CN204966493U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520449978.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0629 , H01L27/0761 , H01L28/20 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/7395 , H01L29/7827 , H01L29/87 , H01L29/872
Abstract: 一种集成电路，包括：垂直肖克利二极管，所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括：第一导电类型的第一区域，第二导电类型的衬底，以及所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从顶部至底部包括：所述衬底的一部分，该部分由垂直壁与所述肖克利二极管分离，所述第二区域的一部分，第四区域，所述第四区域与形成在所述第二区域的一部分中的第三区域的导电类型相同，所述第三区域连接至所述第四区域。
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公开(公告)号：CN208706624U
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201821113815.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L23/31 , H01L29/861 , H01L21/3065 , H01L21/56 , H01L21/329
Abstract: 本公开的实施例涉及电子集成电路芯片。该电子集成电路芯片，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的一个或多个电子部件；以及聚氟乙烯的绝缘层，所述聚氟乙烯的绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间，所述聚氟乙烯的绝缘层覆盖所述半导体衬底的限定所述集成电路芯片的外周界的侧向面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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