公开(公告)号：CN113423864A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080013812.3

申请日：2020-02-12

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 王瀚 ,  B·C·亨德里克斯 ,  E·孔多 ,  T·H·鲍姆

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的某些实施例利用低温原子层沉积方法来形成含有硅和氮的材料(例如，氮化硅)。所述原子层沉积使用四碘化硅(SiI4)或六碘化二硅(Si2I6)作为一种前体并且使用例如氨的含氮材料作为另一前体。在需要氮化硅的选择性沉积于二氧化硅上方进行沉积的情形中，首先用氨等离子体处理衬底表面。

公开(公告)号：CN112969813A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201980073756.X

申请日：2019-11-04

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： P·S·H·陈 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·H·鲍姆

IPC: C23C16/18 ,  C07F15/00

Abstract: 本发明描述化学气相沉积CVD方法，其使用式R1R2Ru(0)的钌前体和还原气体，其中R1为含芳基的配位体，且R2为含二烯基的配位体。所述CVD可在使用所述钌前体和还原气体的初始沉积期之后包括氧气。所述方法可在导电材料上提供选择性Ru沉积，同时使不导电或不太导电的材料上的沉积降到最低。此外，后续使用氧气可显著改进沉积速率，同时使衬底材料的氧化损伤降到最低或消除。所述方法可用于在集成电路和其它微电子装置上形成含Ru的层。

公开(公告)号：CN112840063A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980066362.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： R·小赖特 ,  T·H·鲍姆 ,  B·C·亨德里克斯 ,  S·D·阮 ,  王瀚 ,  P·S·H·陈

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

Abstract: 本文描述用于沉积金属薄膜或层到衬底上的气相沉积方法，其中所述金属是钼或钨；所述方法涉及含有所述金属及一或多种含碳配体的有机金属前驱物化合物，并包含沉积由所述前驱物的所述金属形成的金属层到衬底上，随后将氧化剂引入到所述形成的金属层。

公开(公告)号：CN112041980B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201980027078.3

申请日：2019-04-17

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 孟双 ,  R·U·阿西翁 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·H·鲍姆

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开涉及一种利用硼成核层和钼成核层制造钼膜的方法。与不使用硼成核层或钼成核层的常规化学气相沉积工艺相比，所得钼膜具有低电阻率、基本上不含硼、并且可以在降低的温度下制造。通过此工艺形成的所述钼成核层可以保护衬底免受MoCl5或MoOCl4的刻蚀作用，有利于随后CVD Mo生长在所述钼成核层顶上的成核，并使Mo CVD能够在较低温度下进行。所述成核层也可用于控制随后CVD Mo生长的晶粒大小，并因此控制Mo膜的电阻率。

公开(公告)号：CN119562852A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380054174.3

申请日：2023-06-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： B·H·奥尔森 ,  D·V·洛克利尔 ,  B·C·亨德里克斯 ,  J·托马斯 ,  A·乔希 ,  S·L·巴特尔 ,  B·卡多佐 ,  B·R·加勒特 ,  J·瓦尔德斯 ,  M·沃森

IPC: B01J2/18 ,  B01J19/28 ,  B01J4/00

Abstract: 一种系统，其包含：容器，其用于装纳填充材料；及振动源，其连接到所述容器。所述振动源可增加所述填充材料的体积密度。填充材料比可被定义为所述填充材料的粒子密度除以振动之后的所述填充材料的所述体积密度。在所述振动源增加所述填充材料的所述体积密度之后，所述填充材料比可在从约0.15到约0.75的范围内。

公开(公告)号：CN119547179A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380053932.X

申请日：2023-06-28

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： B·C·亨德里克斯 ,  C·瓦尔德弗里德 ,  斯科特·L·巴特尔 ,  G·理查兹 ,  本杰明·R·加勒特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 一种系统包含：化学品供应柜(例如，例如经配置以装纳安瓿的化学品供应柜)；模块，其经配置以使表面改质；及控制单元，其经连接到所述模块，其中所述控制单元经配置以指导所述表面的所述改质。

公开(公告)号：CN118974309A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380030816.6

申请日：2023-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： P·S·H·陈 ,  S·D·阮 ,  B·C·亨德里克斯

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 总的来说，本发明提供一种将氮化硅膜沉积到微电子器件衬底上的方法。所述方法使用选自卤代硅烷化合物、式R2NH化合物、氨基硅烷和氢气的前体和共反应物。如此形成的氮化硅膜具有增加的硅的比例，同时提供均匀厚度膜，也就是说高保形性，即使在高纵横比3D NAND结构中也是如此。

公开(公告)号：CN113423864B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202080013812.3

申请日：2020-02-12

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 王瀚 ,  B·C·亨德里克斯 ,  E·孔多 ,  T·H·鲍姆

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的某些实施例利用低温原子层沉积方法来形成含有硅和氮的材料(例如，氮化硅)。所述原子层沉积使用四碘化硅(SiI4)或六碘化二硅(Si2I6)作为一种前体并且使用例如氨的含氮材料作为另一前体。在需要氮化硅的选择性沉积于二氧化硅上方进行沉积的情形中，首先用氨等离子体处理衬底表面。

公开(公告)号：CN115867689A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180049729.6

申请日：2021-06-23

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 赵诚实 ,  金多慧 ,  李铢眞 ,  朴哉彦 ,  B·C·亨德里克斯 ,  P·S·H·陈 ,  S·D·阮

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明提供某些硅前体化合物，其可用于在半导体装置的制造中形成含硅膜；且更具体地关于用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅或氮化硅的膜的组合物及方法。

公开(公告)号：CN115485284A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180031709.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 李相禛 ,  金多慧 ,  赵诚实 ,  张西凤 ,  朴哉彦 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·H·鲍姆 ,  李铢眞

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本文提供可用于沉积含硅膜的某些液体硅前驱物，所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳化硅、碳掺杂的氮化硅或碳掺杂的氧氮化硅的膜。还提供利用气相沉积技术形成所述膜的方法。