公开(公告)号：CN119234055A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380036346.4

申请日：2023-03-20

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： M·沃森 ,  C·卡尔霍恩 ,  C·奥坎波 ,  S·L·巴特尔 ,  B·卡多佐 ,  B·R·加勒特

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 用于控制前体输送的系统及方法。所述系统及方法可包括与气体流动管线流体连通的前体输送容器。所述前体输送容器可包括容纳可蒸发前体的至少一个托盘。一定量的热能可以足以蒸发所述可蒸发前体的量供应到所述至少一个托盘。所述经蒸发前体可从所述前体输送容器施配到所述气体流动管线。供应到所述至少一个托盘的热能可调整为足以将所述气体流动管线中的所述经蒸发前体的压力维持在某一压力范围内。

公开(公告)号：CN118974310A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380031339.5

申请日：2023-03-07

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： B·C·亨德里克斯 ,  S·L·巴特尔 ,  B·R·加勒特 ,  C·瓦尔德弗里德 ,  G·理查兹

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/08 ,  C23C16/455

Abstract: 公开一种可暴露于例如钼蒸气、钨蒸气或其任何组合的化学蒸气的装置，所述装置具有覆盖其至少一部分的涂层。所述涂层减少或抑制所述装置的外表面暴露于蒸气时的质量改变。在某些情形中，所述质量改变为质量增加，且所述涂层减少或抑制等于或小于1x 10‑5g mm‑2的质量增加。

公开(公告)号：CN119562852A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380054174.3

申请日：2023-06-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： B·H·奥尔森 ,  D·V·洛克利尔 ,  B·C·亨德里克斯 ,  J·托马斯 ,  A·乔希 ,  S·L·巴特尔 ,  B·卡多佐 ,  B·R·加勒特 ,  J·瓦尔德斯 ,  M·沃森

IPC: B01J2/18 ,  B01J19/28 ,  B01J4/00

Abstract: 一种系统，其包含：容器，其用于装纳填充材料；及振动源，其连接到所述容器。所述振动源可增加所述填充材料的体积密度。填充材料比可被定义为所述填充材料的粒子密度除以振动之后的所述填充材料的所述体积密度。在所述振动源增加所述填充材料的所述体积密度之后，所述填充材料比可在从约0.15到约0.75的范围内。

公开(公告)号：CN118318063A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280079048.9

申请日：2022-11-07

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： B·R·加勒特 ,  M·沃森 ,  赵培

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C07F11/00

Abstract: 本发明提供某些含钼化合物，据信所述含钼化合物适用于将含钼膜气相沉积到各种微电子装置衬底的表面上。在一个方面中，本发明提供一种用于将含钼膜沉积到微电子装置衬底上的工艺，所述工艺包括在反应区中在气相沉积条件下将衬底暴露于如本文中所述的式(I)化合物。