公开(公告)号：CN103545362B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310284714.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28581 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

Abstract: 公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部；以及栅电极，其在保护绝缘膜上形成，其中保护绝缘膜具有第一沟槽和与第一沟槽并列形成的第二沟槽，并且其中在化合物半导体层上残存了仅具有一定预定厚度的保护绝缘膜，以及其中栅电极填充进第一沟槽并且栅电极的一端离开第一沟槽并且至少定位在第二沟槽中。

公开(公告)号：CN102544088B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201110342602.1

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，其中该器件设置有：化合物半导体层；以及栅电极，经栅极绝缘膜而形成在该化合物半导体层上；其中，该栅极绝缘膜是包含SixNy作为绝缘材料的一种膜；该SixNy满足0.638≤x/y≤0.863，并且氢终端基团浓度被设定为不小于2×1022/cm3且不大于5×1022/cm3的范围内的值。采用本发明的器件及方法，制造出了高度可靠的化合物半导体器件，其中，栅极绝缘膜中的电荷陷阱显著减少，并且电特性的改变受到抑制。

公开(公告)号：CN102651393B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110452379.6

申请日：2011-12-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H03F1/3247 ,  H03F1/523 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 栅电极形成为将电极材料包埋在用于电极的凹陷中，所述凹陷通过栅极绝缘膜形成在堆叠化合物半导体结构中，并且也通过将电极材料包埋在用于电极的凹陷中来形成与堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，所述凹陷已经形成在堆叠化合物半导体结构中使得场板电极至少在用于电极的凹陷的底面上与堆叠化合物半导体结构直接接触。

公开(公告)号：CN104377239A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410373778.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：构造成形成在衬底上的电子渡越层；构造成形成在电子渡越层上的电子供给层；构造成形成在电子供给层上的上表面层；构造成形成在电子供给层或上表面层上的栅电极；构造成形成在上表面层上的源电极和漏电极；以及构造成在形成源电极和漏电极的区域正下方的上表面层和电子供给层中形成的第一导电类型区域。电子供给层由包含In的氮化物半导体形成。上表面层由包括氮化物的材料形成，所述氮化物是选自B、Al和Ga中的一种或更多种元素的氮化物。

公开(公告)号：CN102487080B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110342604.0

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/201 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件，其中设置有：第一AlGaN层，形成在衬底的上方；第二AlGaN层，形成在第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在电子渡越层的上方。当第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立。存在于AlGaN层的上表面的负电荷多于存在于AlGaN层的下表面的正电荷。根据本发明的化合物半导体器件，在电子渡越层的下方设置有其中电荷被适当分布的第二AlGaN层，因此可以容易地进行常关操作。

公开(公告)号：CN103715253A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310459388.7

申请日：2013-09-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 吉川俊英 ,  温井健司

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 提供一种化合物半导体器件和其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体层；以及形成在化合物半导体层上方的栅电极；以及形成在化合物半导体层上的栅电极两侧上的源电极和漏电极，其中源电极在与化合物半导体层的接触表面中具有沿着转移电子的多个底部表面，并且多个底部表面位于距转移电子不同距离处，越接近栅电极的底部表面越远离转移电子。

公开(公告)号：CN103545362A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310284714.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28581 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

Abstract: 公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部；以及栅电极，其在保护绝缘膜上形成，其中保护绝缘膜具有第一沟道和与第一沟道并列形成的第二沟道，并且其中在化合物半导体层上残存了仅具有一定预定厚度的保护绝缘膜，以及其中栅电极填充进第一沟道并且栅电极的一端离开第一沟道并且至少定位在第二沟道中。

公开(公告)号：CN103229283A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070366.6

申请日：2010-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛豊生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。

公开(公告)号：CN103035522A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270691.8

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/126

Abstract: 在化合物半导体层叠结构上形成钝化膜，通过干蚀刻来使钝化膜的电极形成预定位置变薄，通过湿蚀刻来穿透钝化膜的变薄部分以形成开口，并且在钝化膜上形成栅电极，使得电极材料嵌入该开口。

公开(公告)号：CN103022122A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210353262.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1475

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。公开一种化合物半导体器件，其中为均质的并且由单一材料(在这种情况下，SiN)构成并且因此具有均匀的介电常数的第一保护膜连续地覆盖化合物半导体层；作为由氧化物构成的第二保护膜的含氧保护部形成为覆盖形成于第一保护膜中的开口的一个边缘部分；以及栅电极形成为填充开口并且形成为其中包含第二保护膜。