GaN异质结快恢复二极管器件结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN112349789A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201910724127.0

    申请日:2019-08-07

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种GaN异质结快恢复二极管器件结构及其制作方法,属于二极管领域。本发明提供的GaN异质结快恢复二极管器件结构,具有正极金属层、基底层以及负极金属层,其中基底层包括衬底层以及外延层;外延层外表面上具有凹槽,凹槽内填充有P型Si材料。本发明提供的二极管器件结构制作方法包括如下步骤:S1,沉积SiN作为掩蔽层,铺展光刻胶,光刻P型窗口,刻蚀P型窗口中的掩蔽层和外延材料,形成深槽;S2,除去光刻胶层,填充深槽,蚀除去多余的多晶硅和全部掩蔽层;S3,蒸发金属材料,快速热退火,形成负极金属层;步骤4,蒸发金属材料,形成正极金属层。本发明提供的二极管器件结构具有更快的关断速度,制作方法具有较好的工艺兼容性。

    一种天然产物(3S,9S)-CiliatamidesC的制备方法

    公开(公告)号:CN101270076B

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200810037357.1

    申请日:2008-05-13

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属化学合成领域,涉及手性哌啶类化合物的不对称合成技术,具体涉及海洋天然产物(3S,9S)-Ciliatamides?C及其合成片段(3R)or(3S)-氨基-哌啶-2-酮的制备方法。本发明以廉价易得的天然化合物L或D-谷氨酸作为起始原料,不对称合成化合物(3R)或(3S)-氨基-哌啶-2-酮;同时,以(3S)-氨基-哌啶-2-酮)作为关键合成片段分子,经多步反应,不对称合成对海拉细胞毒性具有抑制活性的海洋天然产物(3S,9S)-Ciliatamides?C。本发明方法操作简单,分离方便,产率高,立体选择性好,且使用的试剂均为常用试剂,廉价易得。

    一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111834467A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201910322519.4

    申请日:2019-04-22

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法,用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极,该标记片的工作面具有第一区域、第二区域以及第三区域,包括以下步骤:将Ga2O3薄膜覆盖在第一区域上,然后将Ga2O3薄膜的表面以及工作面全部涂胶;在Ga2O3薄膜的表面以及工作面光刻去胶得到阳极窗口;在阳极窗口处溅射沉积Si以及Ni;将去胶的标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间;在第一区域以及第三区域制作具有Ga2O3的欧姆电极,从而得到NixSiy/Ga2O3肖特基二极管。本发明制得的NixSiy/Ga2O3肖特基电极具有较低的电阻率,优异的热稳定性,在满足与硅工艺相兼容的情况下能够制得势垒高度可调的NixSiy/Ga2O3肖特基阳极,具有广泛的应用前景。

    一种制备利什曼原虫病抑制剂的方法

    公开(公告)号:CN101289426B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200810038160.X

    申请日:2008-05-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属化学领域,涉及一种制备利什曼原虫病抑制剂的方法,本发明克服了现有技术的缺陷,以廉价易得的D-丝氨酸原料,高产率、高选择性的合成了关键的中间体化合物11后,对具有对利什曼原虫病和Hela细胞毒性具有抑制活性的海洋天然产物(S,S)-Ciliatamides A和B进行不对称合成。本发明各步骤操作分离简单,各步骤产率较高,所用的试剂均为常用试剂,廉价易得,所用关键中间体的制备方法明显区别于现有技术的合成方法。

    高效率高线性射频GaN功率器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN113838928A

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202010584595.5

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种高效率高线性射频GaN功率器件,其特征在于,包括:衬底,由SiC上AlGaN/GaN制成;源极,设置在衬底上方,漏极,设置在衬底上方与源极相对应,栅极,设置在衬底上方,位于源极与漏极之间,其中,源极和漏极均包括第一金属层,栅极包括第二金属层,源极和漏极呈非均匀多线条结构,该非均匀多线条结构具有多个长度不等的线条。源极的非均匀线条结构还能减小源欧姆接触的寄生电容Cgs,从而获得更好的线性度和fT。漏极的非均匀线条结构还能减小漏欧姆接触的寄生电容Cgd、Cds,从而获得更好的功率增益、fmax以及线性度。

    一种制备利什曼原虫病抑制剂的方法

    公开(公告)号:CN101289426A

    公开(公告)日:2008-10-22

    申请号:CN200810038160.X

    申请日:2008-05-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属化学领域,涉及一种制备利什曼原虫病抑制剂的方法,本发明克服了现有技术的缺陷,以廉价易得的D-丝氨酸原料,高产率、高选择性的合成了关键的中间体化合物11后,对具有对利什曼原虫病和Hela细胞毒性具有抑制活性的海洋天然产物(S,S)-Ciliatamides A和B进行不对称合成。本发明各步骤操作分离简单,各步骤产率较高,所用的试剂均为常用试剂,廉价易得,所用关键中间体的制备方法明显区别于现有技术的合成方法。

    一种天然产物(3S,9S)-Ciliatamides C的制备方法

    公开(公告)号:CN101270076A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200810037357.1

    申请日:2008-05-13

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属化学合成领域,涉及手性哌啶类化合物的不对称合成技术,具体涉及海洋天然产物(3S,9S)-Ciliatamides C及其合成片段(3R)or(3S)-氨基-哌啶-2-酮的制备方法。本发明以廉价易得的天然化合物L或D-谷氨酸作为起始原料,不对称合成化合物(3R)或(3S)-氨基-哌啶-2-酮;同时,以(3S)-氨基-哌啶-2-酮)作为关键合成片段分子,经多步反应,不对称合成对海拉细胞毒性具有抑制活性的海洋天然产物(3S,9S)-Ciliatamides C。本发明方法操作简单,分离方便,产率高,立体选择性好,且使用的试剂均为常用试剂,廉价易得。

    污水中病原细菌检测用磁性纳米酶颗粒及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118792267A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410854917.1

    申请日:2024-06-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于水环境检测技术领域,具体为污水中病原细菌检测用磁性纳米酶颗粒及其制备方法和应用。本发明提供的磁性纳米酶颗粒,包括具有磁性的ZIF‑8金属有机框架多孔纳米材料、辣根过氧化物酶;所述磁性金属有机框架多孔纳米材料是以硫酸亚铁、乙酸锌、二甲基咪唑作为前体物合成的、球形磁性纳米颗粒;该磁性纳米颗粒具有介孔结构,孔径为2–30 nm;由于静电吸引作用,磁性纳米颗粒聚集在辣根过氧化物酶表面,形成辣根过氧化物酶为核的磁性多孔纳米酶颗粒。该磁性多孔纳米酶颗粒可用于特异性免疫检测细菌浓度,具体地包括:水体中特异性的病原菌免疫荧光检测,以及水体中总细菌浓度的比色检测,广谱性的测试水体中病原菌菌群浓度。

    一种用于床旁对实体器官移植中细菌和真菌核酸快速提取及检测的方法

    公开(公告)号:CN118621000A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410895565.4

    申请日:2024-07-05

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于床旁对实体器官移植中细菌和真菌核酸快速提取及检测的方法,具体为:待测样本基因组DNA提取:取待测样本放置于离心管中,部分待测样本进行预处理;通过离心操作,取得沉淀物,向沉淀物中加入细胞裂解液,涡旋后,加热裂解细菌和真菌细胞壁,并释放其核酸;环介导等温扩增:以待测样本DNA为模板,使用环介导等温扩增方法对提取得到的细菌和真菌基因组DNA进行检测,收集荧光信号,根据荧光扩增曲线分析结果,以此实现对实体器官移植中微量细菌和真菌的检测。本发明方法检测所需总时间更短。样本需求量小。该方法特异性强、灵敏度高。

    一种高线性射频AlGaN/GaN器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114975119A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210659328.9

    申请日:2022-06-13

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 黄伟 张卫

    Abstract: 本发明公开了高线性射频AlGaN/GaN器件的制备方法:步骤1,选择AlGaN/GaN、SiC作为衬底材料,并采用PECVD沉积SiN薄膜;步骤2,采用光刻工艺曝光出互连接触孔,再分别刻蚀SiN和AlGaN势垒层,并在漂移区打开互连接触孔;步骤3,采用LPCVD生长多晶硅薄膜或Ge薄膜,并进行N型掺杂;步骤4,采用光刻工艺,在互连接触孔上的栅漏区域曝光出堆叠阵列式结构,并采用RIE分别刻蚀已曝光的N+Polysi或N+Ge及其下方的SiN,从而得到沿栅宽方向的堆叠阵列式图形;步骤5,进行光刻,曝光出欧姆接触的源漏级图形,用电子束蒸发Ti/Al/Ni/Au,经过去胶剥离和快速热退火,形成器件的源级欧姆接触;步骤6,进行光刻,曝光肖特基栅极的图形,用电子束蒸发Ni/Au,制备出具有栅漏区域双沟道叠层结构的射频AlGaN/GaN器件。

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