公开(公告)号：CN103603018A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310500309.2

申请日：2013-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  朱尚斌 ,  孙清清 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: C25D5/18 ,  C25D7/12 ,  C25D7/04 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体互连工艺技术领域，具体涉及一种脉冲电镀方法及其应用。本发明方法包括：若干个阶段，每个阶段包括若干个周期；每个周期为施加一个正向脉冲，再施加一个反向脉冲，反向脉冲的电流大于正向脉冲的电流，反向脉宽短于正向脉宽，反向脉间和正向脉间相同；其中，每个阶段中的正向脉间和反向脉间不变；后一个阶段的正向脉间短于前一个阶段的正向脉间。其优点在于反向的脉冲电流来加速离子浓度恢复，两次脉冲之间的电流关断时间提供一个弛豫时间，并且此周期中的退镀过程也提高了镀层表面平整性。本发明方法可用于金属互连结构的制备中。

公开(公告)号：CN103579101A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310540962.1

申请日：2013-11-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢章熠 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明属于铜互连结构技术领域，具体为一种采用脉冲电镀铜方式实现铜互连的方法。本发明方法包括以下步骤：在半导体衬底上，使用等离子物理溅射法淀积介质层；使用物理溅射法溅射TaN作为扩散阻挡层，再溅射Ta作为粘附促进层；使用物理溅射法溅射铜籽晶层；将获得铜籽晶层的衬底切片成小矩形片；将所述小矩形片作为阴极，高纯度的铜棒作为阳极为进行脉冲电镀铜。其优点在于降低浓差极化，提高阴极电流密度和电镀效率，减少氢脆和镀层孔隙，提高纯度，改善镀层物理性能，所得镀层具有较好的防护性，能获得致密的低电阻率金属沉积层，具有更低的电阻率，抗电迁移能力。

公开(公告)号：CN102693958A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210206916.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢立恒 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用硅酸锰薄膜作为铜互连结构的铜扩散阻挡层。本发明用原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长5~20nm的硅酸锰薄膜，淀积的薄膜能够达到良好的台阶覆盖性，可大大减少孔洞和缝隙等缺陷的产生。此外，通过调节硅酸锰薄膜中的Si和Mn比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明的优点是可以提高铜互连线的抗电迁移特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为45nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。

公开(公告)号：CN102544103A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210005872.8

申请日：2012-01-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晨 ,  卢红亮 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。

公开(公告)号：CN114324496B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202111563129.X

申请日：2021-12-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  吴雪颜 ,  朱立远

IPC: G01N27/12 ,  C23C28/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种基于Pt颗粒修饰的氧化锡/氧化锌核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明用化学溶液法制备氧化锡核层纳米片，再结合原子层沉积技术，得到氧化锡/氧化锌核壳结构纳米片，最后采用磁控溅射生长Pt薄膜，实现了MEMS基原位生长。本发明制备方法具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产等优点。本发明构建的气敏纳米材料应用于气体传感时灵敏度大幅提升，具有高选择性，展现了更加优异的气敏性能。本发明的气敏纳米材料能够对部分微量气体进行检测，并且对硫化氢气体具有优异的选择性，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。

公开(公告)号：CN118518722A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410311911.X

申请日：2024-03-19

Applicant: 复旦大学义乌研究院

Inventor： 卢红亮 ,  区朗曦 ,  朱立远

IPC: G01N27/12 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌‑氧化锡核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明氧化锌核层纳米片的制备采用合成条件极其简单的化学溶液法，结合壳层的原子层沉积技术，得到了氧化锌‑氧化锡核壳结构纳米片。与现有制备工艺相比，本发明具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产等优点。本发明构建的基于异质结的核壳结构，其应用于气体传感时灵敏度大幅提升，响应时间和恢复时间则大幅缩减，展现了更加优异的气敏性能。本发明的气敏纳米材料能够对微量有机挥发性气体进行检测，并且对乙醇气体具有优异的选择性，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。

公开(公告)号：CN114068757B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202111215134.1

申请日：2021-10-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连接。本发明中，micro‑LED采用自下而上方法制备，从根本上消除了侧壁损伤，能够有效提高器件性能。同时，由于集成了microLED和紫外光电探测器，使得本发明的单片集成器件具有发射信号和接收信号的双重功能，可以作为光通信中的收发单元和光互连单元。

公开(公告)号：CN113675093B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202110793016.2

申请日：2021-07-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  缪小勇 ,  朱立远

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种双面塑封的散热结构的封装设计及制备方法。本发明的双面塑封封装结构简单，底面常规塑封，而在基板上表面加装金属铜柱，并使芯片裸露，同时在芯片上表面增加翅片散热器结构，加快散热，使得基板底面的热量尽量都从上表面散走。相比于现有技术，本发明的双面封装方案采用翅片散热结构，在不增加芯片封装面积的情况下有效增加了散热面积，解决了芯片封装的散热问题，有利于实现器件的微型化。本发明能够应用于智能手机、人工智能、自动驾驶、5G网络、物联网、可穿戴电子设备等新兴领域，符合当今电子产品微型化的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场，提高产品的散热性能，大大提高产品的可靠性，具有更广阔的发展前景。

公开(公告)号：CN114744076B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210279033.9

申请日：2022-03-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法。氮化镓异质结薄膜的主体结构为SiN/GaN/AlyGa1‑yN/AlN/GaN。阴极与异质结界面的二维电子气形成欧姆接触，在SiN介电层上的半透明金属阳极与氮化镓异质结形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）结构。由于异质结薄膜中具有的对立的极化电场，这种基于氮化镓异质结的MIS光电二极管在不同能量的紫外光激发下可以产生不同方向的光电流。本发明的基于硅衬底上氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管工艺简单，性能稳定，能够与CMOS工艺兼容，可以作为未来多功能光电集成芯片及系统中的高性能光电探测单元。

公开(公告)号：CN113237581B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202110489623.X

申请日：2021-05-06

Applicant: 复旦大学附属中山医院

Inventor： 杨骥 ,  卢红亮 ,  王修远 ,  刘梦洋

IPC: G01L1/22 ,  G01L1/14 ,  G01B7/16 ,  A61B5/00

Abstract: 一种皮肤硬度传感器及其制作方法，该方法包括：螺旋线电极和圆盘电极的制备步骤：将纳米银线和碳纳米管按照质量百分比为一比一混合后分散在醇类溶液中；将贴在玻璃片上的聚酰亚胺薄膜图案化；在玻璃片上喷涂纳米银线/碳纳米管导电颗粒；去掉多余聚酰亚胺薄膜后，形成螺旋线电极和圆盘电极；压力敏感的电容材料的制备步骤：将碳纳米管通过十二烷基硫酸钠改性分散到第一溶液中，磁力搅拌二甲基硅氧烷/碳纳米管/水的混合溶液第三时长形成油包水乳化液并将其滴在螺旋线电极上，在第二温度下加热第二时长后再盖上圆盘电极；在预设温度分别加热固化一定时长后形成稳定的整体；将螺旋线电极和圆盘电极分别连接引线后，皮肤硬度传感器制作完成。