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公开(公告)号：CN118518722A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410311911.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 复旦大学义乌研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌‑氧化锡核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明氧化锌核层纳米片的制备采用合成条件极其简单的化学溶液法，结合壳层的原子层沉积技术，得到了氧化锌‑氧化锡核壳结构纳米片。与现有制备工艺相比，本发明具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产等优点。本发明构建的基于异质结的核壳结构，其应用于气体传感时灵敏度大幅提升，响应时间和恢复时间则大幅缩减，展现了更加优异的气敏性能。本发明的气敏纳米材料能够对微量有机挥发性气体进行检测，并且对乙醇气体具有优异的选择性，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN116885031A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310890403.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 复旦大学义乌研究院
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器及其制备方法。本发明首先在Si衬底上生长SiO2，再将本征的Ga2O3纳米带机械剥离转移到已制备金属标记的SiO2薄膜衬底上，并在纳米带的两边对称制备接触电极，紧接快速热退火以形成欧姆接触；然后继续在纳米带上制备肖特基接触电极，最后，特定尺寸的Pt等离激元阵列被制备在纳米带的表面，从而得到Ga2O3SBD型日盲紫外光电探测器。本发明的Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流比，优异的光响应度，快速的响应时间，在军事、环境监测、医疗、通信和太空探测领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116825812A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310752146.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 复旦大学义乌研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电存储晶体管及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在衬底上沉积W电极，并使用紫外光刻、干法刻蚀进行栅电极隔离，然后，生长氧化铪基铁电薄膜，接着继续沉积W作为金属牺牲层，将所得结构进行快速热退火形成铁电相后将W牺牲层去除，紧接着生长氧化铪薄膜作为界面阻挡层，在此之后，沉积铟镓锌氧作为半导体沟道并通过光刻、湿法刻蚀等工艺形成沟道区域，最后制备源漏电极得到铁电存储晶体管。在本发明的铁电存储晶体管结构中，通过添加氧化铪作为半导体沟道与氧化铪基铁电薄膜的界面阻挡层，来阻挡铁电存储晶体管在不断地擦除和写入过程中的界面注入以及降低界面缺陷，实现高性能的数据存储功能。
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