公开(公告)号：CN117878154A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311677380.8

申请日：2023-12-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种碳化硅超级结结构及其制备方法、半导体器件。本发明的超级结结构具有第一导电类型的衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；衬底的第一表面形成有漏极；衬底的第二表面设置有低掺杂浓度的外延层，且划分出元胞区域；所述外延层具有第一导电类型，所述外延层内包含第二导电类型的掺杂柱状结构，在单个元胞区域内，所述掺杂柱状结构于衬底的投影呈对角设置。本发明的碳化硅超级结结构可用于SiC基功率器件，及其他同类材料或同类型场控器件中应用，终端应用为各种电源或电能变换领域。

公开(公告)号：CN117118201A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311078096.9

申请日：2023-08-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘盼 ,  李潇

IPC: H02M1/00 ,  H01L23/29

Abstract: 本申请提供一种开关电源模块的封装方法，包括：将未封装的开关电源模块的裸线圈所在的区域定义为第一区域，将开关电源模块中的电源芯片、电容、电阻所在的区域定义为第二区域；将软磁材料和粘合剂混合得到软磁胶；采用所述软磁胶对第一区域进行封装，使得软磁胶包覆所述裸线圈、第一区域的基板，并填充在所述裸线圈的空隙中；采用环氧树脂对第二区域进行封装，使得环氧树脂包覆所述电源芯片、电容、电阻和第二区域的基板，并填充于所述电源芯片、电容和电阻之间的分隔区域；固化所述软磁胶和环氧树脂。本申请还提供一种开关电源模块。采用本申请的封装方法得到的开关电源模块具有较大的工作效率、电流承载能力、以及较小的体积。

公开(公告)号：CN111968960A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010811091.2

申请日：2020-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘盼 ,  曾泽钧 ,  樊嘉杰 ,  张国旗

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板、制备工艺及其应用。其包括陶瓷覆铜基板、烧结材料层和定位组件；所述烧结材料层有两层，分别设置在陶瓷覆铜基板的正面和反面，定位组件设置在陶瓷覆铜基板正面的烧结材料层上方；定位组件采用还原气氛下的烧结工艺能够完全蒸发的材料制成。本发明的烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板被用于功率模块的封装作业，能简化芯片粘结工艺流程，免去清洗助焊剂等清洁工序，并且提高散热器使用效率以及简化装配工艺，降低生产成本。

公开(公告)号：CN119783539A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411972348.7

申请日：2024-12-30

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 张俊然 ,  刘盼 ,  樊嘉杰 ,  雷光寅 ,  马宏平 ,  张清纯

IPC: G06F30/27 ,  G16C10/00 ,  G06F119/14

Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。

公开(公告)号：CN118198126A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410137803.5

申请日：2024-01-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种改善体二极管反向恢复性能的超级结器件及制备方法。改善体二极管反向恢复的超结半导体结构包括衬底，具有第一表面和第二表面；外延基层，形成于第一表面上；外延多层结构，形成于外延基层的表面上；外延顶层，形成于外延多层结构的表面上；阱区，设置于外延顶层内；所述外延多层结构包括若干组第一外延层和第二外延层，第一外延层形成于外延基层的顶部或第二外延层的顶部，第二外延层形成于第一外延层的顶部。本发明的超级结器件可以改善超级结MOSFET体二极管反向恢复特性差的问题。

公开(公告)号：CN117747259A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311840986.9

申请日：2023-12-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘盼 ,  李潇

IPC: H01F27/24 ,  H01F27/255 ,  H01F41/00 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明涉及柔性电感技术领域，具体而言，涉及一种平面柔性电感及制备方法，平面柔性电感包括软磁组件、导线。软磁组件的长条状多根第一软磁纤维、第二软磁纤维平行设置。第一软磁纤维与第二软磁纤维呈夹角。一根第一软磁纤维一部分段设于第二软磁纤维一侧，另一部分段设于第二软磁纤维另一侧。一根第二软磁纤维一部分段设于第一软磁纤维一侧，另一部分段设于第一软磁纤维另一侧。第一软磁纤维和第二软磁纤维编织成平面基体。长条状导线部分段设于第一软磁纤维和第二软磁纤维之间。导线环绕多匝。一匝导线的长度包括导线环绕360°的长度。导线相邻匝间至少包括一根第一软磁纤维或第二软磁纤维。这样就解决了平面柔性电感客制化成本高的问题。

公开(公告)号：CN117096193A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311085654.4

申请日：2023-08-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅超级结MOSFET结构及其制备方法，其中，一种碳化硅超级结MOSFET结构，包括：漏极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型阱区、第一导电类型源区和第二导电类型源区、第二导电类型柱区、第二导电类型重掺杂区、第一导电类型重掺杂区、栅极结构以及源极等结构，本发明公开的结构相较于传统超级结结构具有更加优异的性能，在正向导通时导通电阻更低，而反向时能更好的横向耗尽，增强了耐压能力，并降低了表面峰值电场，同时该结构还具有一个更好的耐电荷失衡能力，解决了现有技术中超级结结构中柱区电荷不能过高及电荷不平衡带来的超级结结构性能下降的问题。

公开(公告)号：CN112163355B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202011018010.X

申请日：2020-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  钱弈晨 ,  侯峰泽 ,  刘盼 ,  张国旗

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F111/10 ,  G06F113/18 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。

公开(公告)号：CN112103636A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010811184.5

申请日：2020-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘盼 ,  伊菲珍妮亚·扎哈瑞欧 ,  汉克·凡·扎尔 ,  张国旗 ,  张靖 ,  樊嘉杰 ,  李梁涛

IPC: H01Q1/38 ,  C23C14/20 ,  C23C14/24 ,  C23F1/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于柔性基板技术领域，具体为一种在聚酰亚胺薄膜上实现微纳图形化处理的方法。具体步骤如下：（1）先将聚碳酸亚丙酯PPC材料旋涂在硅片上，然后将聚酰亚胺薄膜贴合在硅片上面；（2）使用蒸发工艺沉积铝层；（3）旋涂正性光刻胶层；（4）在紫外线照射的作用下，用掩膜版对光刻胶涂层进行选择性曝光，再进行软烘干；（5）用刻蚀剂对光刻胶进行化学刻蚀；（6）使用干法蚀刻和湿法蚀刻刻蚀掉暴露在外面的铝层，保留被光刻胶覆盖的铝层；（7）剥离光刻胶；（8）加热分离得到聚酰亚胺薄膜。本发明用PPC粘合聚酰亚胺薄膜进行图像化处理，方法简单，效果优异，可制造出能够工作在60GHz频率下的柔性天线。

公开(公告)号：CN112084717A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010965810.6

申请日：2020-09-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  经周 ,  刘杰 ,  刘盼 ,  张国旗

IPC: G06F30/27 ,  G06Q10/04 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了紫外发光二极管性能退化预测模型构建及寿命预测方法，属于紫外发光二极管寿命预测领域，模型构建方法包括：获取紫外发光二极管老化试验中多个时间点测试指标构成的原始时间序列测试数据；根据原始时间序列测试数据训练基于循环神经网络改进的长短期记忆网络，得到紫外发光二极管性能退化预测模型；长短期记忆网络的输入为原始时间序列测试数据中多个连续时间点测试指标，输出为相邻的后一时间点测试指标。寿命预测方法为：根据原始时间序列测试数据和上述预测模型，获得后续时间的指标退化数据；再根据预设的失效阈值确定紫外发光二极管预测失效寿命。本发明能对具有时间序列的衰减数据进行处理，具有高精度、高可靠、高速度的特点。