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公开(公告)号：CN117968846A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311779555.6
申请日：2023-12-21
Applicant: 复旦大学 , 上海浦东复旦大学张江科技研究院
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明涉及一种基于光谱功率分布的LED结温预测方法，包括：构建待测LED的光谱功率分布模型，并进行分解；针对待测LED进行光电参数测量和结温测试，采集得到多组光谱与对应结温数据；对光谱数据进行归一化，并进行函数拟合，利用原始光谱以及拟合后光谱，提取出多个特征参数，计算蓝光芯片与黄光两部分对应的特征参数比值，绘制出原始光谱和拟合后光谱对应的电流‑结温‑参数比图，以筛选出结温预测参数比；设定实验电流在额定电流预设范围内，利用原始光谱下的质心波长以及筛选得到的结温预测参数比，结合对应拟合模型，输出得到待测LED的结温预测结果。与现有技术相比，本发明能够减少实验次数和时间，提高结温预测的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN118427630A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410488634.X
申请日：2024-04-23
Applicant: 复旦大学 , 上海浦东复旦大学张江科技研究院
IPC: G06F18/22 , G01M11/02 , G06F18/2135 , G06F18/23213 , G06N3/0442
Abstract: 本发明公开了一种基于光谱功率分布的LED早期故障诊断和寿命预测方法；本发明基于相似度检测方法进行故障诊断，从统计模型提取光谱特征值，通过主成分分析进行降维，并利用K‑means++方法进行聚类，最终使用距离和阈值比较确定异常时间。在此基础上，建立长短期循环神经网络对光谱特征值进行预测，重塑光谱，预测剩余使用寿命。本发明通过结合光谱功率分布，基于长短记忆循环LSTM神经网络方法对加速步进老化白光LED进行故障诊断和寿命预测，大大提高了LED早期异常检测和剩余寿命预测的准确度。
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公开(公告)号：CN117744269A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311773194.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/006 , G06F111/10 , G06F111/06
Abstract: 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件结构的优化设计方法，包括：构建SiC功率MOSFET导通电阻的模型；基于理论分析，分别获得击穿电压与特征参数之间关系、导通电阻与特征参数之间关系的模型与公式；根据工艺限制、栅极氧化物临界击穿场强，校准得到的关系模型与公式；通过多目标优化粒子群算法，对击穿电压和导通电阻进行优化；针对特定的需求，筛选获得的对应特征参数、击穿电压和导通电阻；构建TCAD模型验证并校准获得的器件特征结构，以获得器件特征结构的最优结果；结合SiC功率MOSFET器件结构的最优结果和TCAD仿真获得的最优结果，确定出SiC功率MOSFET中最优的器件结构特征参数。与现有技术相比，本发明能够扩大应用范围、降低设计成本和设计时间，同时提高设计准确性。
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公开(公告)号：CN117571451A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311667954.3
申请日：2023-12-07
Applicant: 复旦大学 , 上海本诺电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块封装纳米烧结材料焊层的剪切力测试装置及方法；该装置主要包括动静态压头结构、支撑压板结构、正交导轨位置调节结构和基座结构。工作时，支撑压板结构通过压板与螺栓将剪切试验样品固定夹持，通过正交导轨位置调节结构调节支撑压板结构的水平位置，将剪切试验样品上层与动态或静态压头工作面对齐并接触，由压头结构对样品施加静态或动态载荷进行剪切力学性能测试。本发明的装置设计能够适用于不同尺寸、不同焊料、不同焊层厚度的三明治样品剪切测试，而且适用于静态或动态载荷条件下高温与低温的力学性能测试，有效解决了焊层爬高影响测试精度的问题，实现了更精确与更高效的剪切测试。
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公开(公告)号：CN113343535B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110700564.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/12 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法，属于封装领域，包括：S1构建SiC功率器件的三维模型，确定SiC功率器件的结构和参数；S2基于经验公式获得关于盲孔结构的热阻模型和力学模型；S3通过多目标优化遗传算法对热阻模型和力学模型进行优化，获得盲孔结构的最优结果；S4根据S1中三维模型，在基板上确定盲孔分布的可行域；S5对于可行域内的盲孔位置分布进行有限元仿真实验；S6构建盲孔层中关于盲孔位置分布的最大热应力模型和最大散热温度模型，并获得盲孔位置分布的最优结果；S7根据S3和S6获得SiC功率器件中盲孔结构与位置分布的设计。本发明方法合理有效，能够设计出在高温条件下具有高可靠性的嵌入式SiC功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114191578A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111393733.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深紫外LED的生物膜细菌灭活方法。具体包括：(1)深紫外辐射处理：使用深紫外LED照射骨科假体材料上的生物膜；(2)外科脉冲冲洗处理：外科脉冲冲洗骨科假体材料；所述步骤(1)和(2)的顺序可以颠倒。本发明所述的方法能够高效清除骨科假体材料上的生物膜，与抗生素治疗方法相比，不易复发；本方法操作简单，方法中涉及的设备均为医院中常用设备，易于操作。
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公开(公告)号：CN112760095A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110103119.1
申请日：2021-01-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于荧光材料技术领域，具体为一种高显色激光白光光源用荧光材料及其制备方法。本发明荧光材料，包括YAG单晶基片和荧光玻璃膜层，荧光玻璃膜层是红色荧光粉和低熔点玻璃粉混合物的薄膜层；YAG单晶基片采用提拉法制备，且单面抛光、单面研磨粗糙；所述荧光玻璃膜层通过丝网印刷工艺将荧光玻璃浆料印刷在YAG单晶粗糙面上，然后进行热处理；红色荧光粉可以补充激光激发YAG单晶时缺少的红色光谱部分，优化其发光性能，在蓝色激光激发下可以得到高显色指数的白光。本发明制备的单晶‑PIG荧光材料在作为激光白光用荧光转换材料时具有热稳定性好、显色指数高等优势，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112417729A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011321629.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN112163355A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011018010.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN119558114A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411406440.7
申请日：2024-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种多芯片埋入式板级封装的热形变计算方法。本发明基于热传导以及弹性力学理论，构建三维有限差分热机械数值模型，描述芯片埋入封装内部后工作发热、封装材料受热膨胀进而产生的应力形变。多芯片发热的耦合问题也考虑在内。本发明构建的有限差分法热机械数值模型在计算时比解析法更具有普适性，在模型推导过程中不需要推导复杂的解析模型，建模过程时间成本更低。与有限元方法对比而言，有限差分法所需要的计算资源更少，对计算机的配置要求更低，计算求解过程的时间也更少。在确保计算准确度的情况下，可节省人力资源和时间成本。
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