公开(公告)号：CN117878154A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311677380.8

申请日：2023-12-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种碳化硅超级结结构及其制备方法、半导体器件。本发明的超级结结构具有第一导电类型的衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；衬底的第一表面形成有漏极；衬底的第二表面设置有低掺杂浓度的外延层，且划分出元胞区域；所述外延层具有第一导电类型，所述外延层内包含第二导电类型的掺杂柱状结构，在单个元胞区域内，所述掺杂柱状结构于衬底的投影呈对角设置。本发明的碳化硅超级结结构可用于SiC基功率器件，及其他同类材料或同类型场控器件中应用，终端应用为各种电源或电能变换领域。

公开(公告)号：CN118073417A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410138698.7

申请日：2024-01-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种改善体二极管反向恢复性能的超级结器件及制备方法。改善体二极管反向恢复的半导体器件包括：衬底，具有第一表面和第二表面；外延基层，形成于第一表面上；外延多层结构，形成于外延基层的表面上；外延顶层，形成于外延多层结构的表面上；阱区，设置于外延顶层内；所述外延多层结构包括若干第一外延层和若干第二外延层，第一外延层形成于外延基层的顶部或第二外延层的顶部，第二外延层形成于第一外延层的顶部。本发明的超级结器件可以改善超级结MOSFET体二极管反向恢复特性差的问题。

公开(公告)号：CN118198126A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410137803.5

申请日：2024-01-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种改善体二极管反向恢复性能的超级结器件及制备方法。改善体二极管反向恢复的超结半导体结构包括衬底，具有第一表面和第二表面；外延基层，形成于第一表面上；外延多层结构，形成于外延基层的表面上；外延顶层，形成于外延多层结构的表面上；阱区，设置于外延顶层内；所述外延多层结构包括若干组第一外延层和第二外延层，第一外延层形成于外延基层的顶部或第二外延层的顶部，第二外延层形成于第一外延层的顶部。本发明的超级结器件可以改善超级结MOSFET体二极管反向恢复特性差的问题。

公开(公告)号：CN117096193A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311085654.4

申请日：2023-08-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅超级结MOSFET结构及其制备方法，其中，一种碳化硅超级结MOSFET结构，包括：漏极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型阱区、第一导电类型源区和第二导电类型源区、第二导电类型柱区、第二导电类型重掺杂区、第一导电类型重掺杂区、栅极结构以及源极等结构，本发明公开的结构相较于传统超级结结构具有更加优异的性能，在正向导通时导通电阻更低，而反向时能更好的横向耗尽，增强了耐压能力，并降低了表面峰值电场，同时该结构还具有一个更好的耐电荷失衡能力，解决了现有技术中超级结结构中柱区电荷不能过高及电荷不平衡带来的超级结结构性能下降的问题。