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公开(公告)号：CN1419709A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN01806955.X
申请日：2001-03-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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公开(公告)号：CN104254906A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380022014.7
申请日：2013-04-26
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/36
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/3218 , C11D7/36 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法，该半导体基板用清洗剂的特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水，pH超过6且小于7。
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公开(公告)号：CN103228775A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180057321.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C11D7/32 , C11D7/08 , C11D7/10 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/3245 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D11/0047 , H01L21/02074
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，在半导体基板的制造工艺中，对化学机械抛光(CMP)工序后的半导体基板进行清洗时，所述铜配线用基板清洗剂可以充分地抑制金属铜的溶出、且可以除去在化学机械抛光(CMP)工序中产生的氢氧化铜(II)、氧化铜(II)等杂质或颗粒。本发明涉及铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，所述铜配线用基板清洗剂由含有[I]以下述通式[1]表示的氨基酸和[II]烷基羟胺的水溶液构成，(式中，R1表示氢原子、羧甲基或羧乙基；R2和R3各自独立地表示氢原子、或具有或不具有羟基的碳原子数为1～4的烷基，其中，R1～R3均为氢原子的情况除外)。
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公开(公告)号：CN103098178A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043043.2
申请日：2011-09-07
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/18
CPC classification number: C09D5/00 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/022 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 本发明的目的在于提供一种组合物、以及使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述组合物用于对具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案的半导体基板表面整体进行一次防水处理。本发明涉及(1)一种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少1种化合物、b)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂、以及c)极性有机溶剂；本发明还涉及(2)使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述半导体基板具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100543124C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200480031760.3
申请日：2004-10-13
Applicant: 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G5/02 , C23G5/032
Abstract: 本发明提供了基板用清洗剂以及清洗方法，采用该基板用清洗剂以及清洗方法时，可以有效地除去存在于基板表面的微细粒子(颗粒)或来自各种金属的杂质(金属杂质)，而不会引起基板、特别是半导体基板的表面粗糙，此外，也不会引起铺设于基板表面的金属配线、特别是铜配线的腐蚀或氧化，并且可以同时除去存在于基板表面的碳缺陷，而不会除去防金属腐蚀剂-Cu涂层、特别是Cu-BTA涂层。本发明所提供的基板用清洗剂含有[I]具有至少1个羧基的有机酸或/和[II]络合剂，还含有[III]有机溶剂，所述有机溶剂选自由(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二元醇类、(4)二元醇醚类、(5)酮类和(6)腈类组成的组。本发明所提供的基板表面的清洗方法的特征在于，其采用上述清洗剂对基板表面进行处理。
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公开(公告)号：CN100437922C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200380102751.4
申请日：2003-11-07
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/36
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种也可具有金属布线的半导体基板用洗涤液及使用它的洗涤方法，其含有用下述通式(1)表示的螯合剂或其盐、碱性化合物及纯水的各成分，而且pH是8～13，(式中，Y1及Y2表示低级亚烷基、n表示0～4的整数，R1～R4和n个R5中的至少4个表示具有膦酸基的烷基的同时，其余的表示烷基。)。即使在使用碱性抛光剂或蚀刻液的工序后使用，也不会产生基板表面的粒子凝胶化而难以除去，或者半导体基板表面容易粗面等问题，可以有效地除去半导体基板表面上的微粒子和来自各种金属的杂质。
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公开(公告)号：CN1875090A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031760.3
申请日：2004-10-13
Applicant: 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G5/02 , C23G5/032
Abstract: 本发明提供了基板用清洗剂以及清洗方法，采用该基板用清洗剂以及清洗方法时，可以有效地除去存在于基板表面的微细粒子(颗粒)或来自各种金属的杂质(金属杂质)，而不会引起基板、特别是半导体基板的表面粗糙，此外，也不会引起铺设于基板表面的金属配线、特别是铜配线的腐蚀或氧化，并且可以同时除去存在于基板表面的碳缺陷，而不会除去防金属腐蚀剂－Cu涂层、特别是Cu－BTA涂层。本发明所提供的基板用清洗剂含有[I]具有至少1个羧基的有机酸或/和[II]络合剂，还含有[III]有机溶剂，所述有机溶剂选自由(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二元醇类、(4)二元醇醚类、(5)酮类和(6)腈类组成的组。本发明所提供的基板表面的清洗方法的特征在于，其采用上述清洗剂对基板表面进行处理。
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公开(公告)号：CN1267972C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN01806955.X
申请日：2001-03-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu-CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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公开(公告)号：CN1711627A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380102751.4
申请日：2003-11-07
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/36
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种也可具有金属布线的半导体基板用洗涤液及使用它的洗涤方法，其含有用下述通式(1)表示的螯合剂或其盐、碱性化合物及纯水的各成分，而且pH是8～13，(式中，Y1及Y2表示低级亚烷基、n表示0～4的整数，R1～R4和n个R5中的至少4个表示具有膦酸基的烷基的同时，其余的表示烷基。)。即使在使用碱性抛光剂或蚀刻液的工序后使用，也不会产生基板表面的粒子凝胶化而难以除去，或者半导体基板表面容易粗面等问题，可以有效地除去半导体基板表面上的微粒子和来自各种金属的杂质。
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