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公开(公告)号：CN100418947C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02821640.7
申请日：2002-11-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C08F2/50 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C381/12 , C08F2/50 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及，例如用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大保护膜用酸发生剂的、1分子中具有碘鎓盐和锍盐的杂化鎓盐，提供一种以通式[1]表示的杂化鎓盐：[式中，R1～R3分别独立且表示卤原子、烷基、卤代烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可被取代的氨基；Q1表示键接、氧原子、硫原子或碳原子数为1-6的亚烷基链；T1表示可具有取代基的亚烷基或亚芳基；R4表示可具有取代基的烷基、链烯基、芳基、芳烷基等；A1及A2分别独立且表示对阴离子，m表示0～4的整数，2个n分别独立且表示0～5的整数]。
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公开(公告)号：CN1854133A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610081844.9
申请日：2002-10-11
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/00 , G03F7/004
CPC classification number: C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/68 , C08G65/105 , C08G2650/16 , G03F7/0045 , G03F7/029 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及适用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大型抗蚀剂用酸发生剂的含杂环鎓盐，提供一种用通式[1](式中，R表示用通式[2]或通式[3]表示的基团)表示的含杂环的锍盐：或用通式[35]表示的含杂环的鎓盐，(式中，R26及R27的至少一种是用上述通式[2]或[3]表示的基团)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1622943A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828462.3
申请日：2002-10-11
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/00 , G03F7/004
CPC classification number: C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/68 , C08G65/105 , C08G2650/16 , G03F7/0045 , G03F7/029 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及适用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大型抗蚀剂用酸发生剂的含杂环鎓盐，提供一种用通式[1](式中，R表示用通式[2]或通式[3]表示的基团)表示的含杂环的锍盐：如右式(1)、(2)或用通式[35]表示的含杂环的鎓盐，如式[35] (式中，R26及R27的至少一种是用上述通式[2]或[3]表示的基团)。
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公开(公告)号：CN100475803C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02828462.3
申请日：2002-10-11
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07D311/76 , C07D311/86 , C08G59/00 , G03F7/004
CPC classification number: C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/68 , C08G65/105 , C08G2650/16 , G03F7/0045 , G03F7/029 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及适用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大型抗蚀剂用酸发生剂的含杂环鎓盐，提供一种用通式[1](式中，R表示用通式[2]或通式[3]表示的基团)表示的含杂环的锍盐：或用通式[35]表示的含杂环的鎓盐，(式中，R26及R27的至少一种是用上述通式[2]或[3]表示的基团)。
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公开(公告)号：CN1578766A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821640.7
申请日：2002-11-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C08F2/50 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C381/12 , C08F2/50 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及，例如用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大保护膜用酸发生剂的、1分子中具有碘鎓盐和锍盐的杂化鎓盐，提供一种以通式[1]表示的杂化鎓盐：[式中，R1～R3分别独立且表示卤原子、烷基、卤代烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可被取代的氨基；Q1表示键接、氧原子、硫原子或低级亚烷基链；T1表示可具有取代基的亚烷基或亚芳基；R4表示可具有取代基的烷基、链烯基、芳基、芳烷基等；A1及A2分别独立且表示对阴离子，m表示0～4的整数，2个n分别独立且表示0～5的整数]。
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公开(公告)号：CN103098178A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043043.2
申请日：2011-09-07
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/18
CPC classification number: C09D5/00 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/022 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 本发明的目的在于提供一种组合物、以及使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述组合物用于对具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案的半导体基板表面整体进行一次防水处理。本发明涉及(1)一种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少1种化合物、b)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂、以及c)极性有机溶剂；本发明还涉及(2)使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述半导体基板具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案。
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公开(公告)号：CN1854133B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610081844.9
申请日：2002-10-11
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/00 , G03F7/004
CPC classification number: C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/68 , C08G65/105 , C08G2650/16 , G03F7/0045 , G03F7/029 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及适用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大型抗蚀剂用酸发生剂的含杂环鎓盐，提供一种用通式[1](式中，R表示用通式[2]或通式[3]表示的基团)表示的含杂环的锍盐：或用通式[35]表示的含杂环的鎓盐，(式中，R26及R27的至少一种是用上述通式[2]或[3]表示的基团)。
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