公开(公告)号：CN104303317A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024603.9

申请日：2013-05-10

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 大内直子 ,  柿泽政彦 ,  鹤本浩之 ,  渡边照巳 ,  河原进士

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: C09K13/02 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池制造用碱性蚀刻液，其包含：(A)通式[1]表示的单磺酸或二磺酸或它们的盐、(B)碱性化合物和(C)水；另外涉及一种太阳能电池制造用硅系基板的制造方法，其特征在于，使用该蚀刻液对以硅为主要成分的晶片进行蚀刻，在该晶片的表面形成凹凸结构。{式中，p个R1各自独立地表示氢原子、羟基或碳原子数为1～10的烷基，q个M各自独立地表示氢原子、碱金属原子、铵(NH4)基或四烷基铵(R24N)基(式中，R2表示碳原子数为1～4的烷基)，n表示0或1，p和q各自独立地表示1或2。}

公开(公告)号：CN105378901A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038367.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 横沟贵宏 ,  鹤本浩之 ,  柿泽政彦

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/38 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/38 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂和蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，所述钛系金属用蚀刻剂即使在用于具有钛系金属和金属铜或铜合金的半导体基板的情况下，也可抑制过氧化氢的分解，溶液寿命长，控制蚀刻剂中的过氧化氢的浓度的必要性小。本发明涉及半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂、以使用该蚀刻剂为特征的蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，该半导体基板具有钛系金属和位于该钛系金属的上部的金属铜或铜合金，该钛系金属用蚀刻剂为至少包含(A)过氧化氢、(B)结构中具有氮原子的膦酸系螯合剂、(C)碱金属氢氧化物、以及(D)具有至少1个羟基和至少3个羧基的有机酸的水溶液。

公开(公告)号：CN103098178A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043043.2

申请日：2011-09-07

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  浦野洋治 ,  柿泽政彦

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/18

CPC classification number: C09D5/00 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明的目的在于提供一种组合物、以及使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述组合物用于对具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案的半导体基板表面整体进行一次防水处理。本发明涉及(1)一种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少1种化合物、b)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂、以及c)极性有机溶剂；本发明还涉及(2)使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述半导体基板具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案。