一种银纳米线网格电极的制备方法

    公开(公告)号:CN107919180B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201711078038.0

    申请日:2017-11-04

    Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题,本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法,包括:S1、清洗衬底:将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,氮气吹干;S2、制备银纳米线乙醇混合液;S3、采用银纳米线乙醇混合液,通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格,干燥;S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上,在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力,持续5~35分钟,形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低,满足柔性器件对退火温度的需求,可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。

    一种微电子器件封装焊接机及其控制方法

    公开(公告)号:CN110369840A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910676145.6

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种微电子器件封装焊接机,包括:底板;顶板,其设置在所述底板上方;输送带,其可拆卸设置在所述底板上,能够运送微电子器件的底座和封盖;定位架,可旋转支撑在所述底板上,位于所述输送带一侧,能够定位和固定微电子器件的底座;第一伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;焊接枪,其连接所述第一伸缩架另一端,并与所述定位架同轴设置;第二伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;封装架,其连接所述第二伸缩架另一端,能够夹持所述微电子器件的封盖,利用输送架将封装底座和封装盖,输送至焊接枪和封装架工位进行封装,无需人力干预,且可同时输送多个待封装件,生产效率高,本发明还公开了一种微电子器件封装焊接机。

    一种柔性氧化锌光敏晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN108987529B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201810775195.5

    申请日:2018-07-15

    Abstract: 本发明涉及一种柔性氧化锌光敏晶体管的制备方法,属于半导体器件制备技术领域。包括清洁硬质衬底和柔性衬底,栅极沉积,绝缘层沉积,富氧氧化锌沟道层沉积,低氧氧化锌沟道层沉积,源电极、漏电极沉积。优点是利用光敏晶体管的增益特性提高了光电探测响应度,叉指源电极、漏电极结构增强了光电流,双层氧化锌沟道层结构提高了电学稳定性,为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发,无需更换生产线;沟道层材料为纯氧化锌,成本低廉、绿色环保,在紫外探测领域具有良好应用前景,该制备方法的使用使氧化锌在紫外探测中更加具备应用潜力。

    一种半导体氧化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109994559A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910249023.9

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜,所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成,其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓;并且,还含有氢;所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In:20~50原子%、Ga:8~25原子%、Zn:20~50原子%和W:10~30原子%。本发明提供了一种半导体氧化膜,其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法,其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制,来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。

    一种银纳米线网格电极的制备方法

    公开(公告)号:CN107919180A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201711078038.0

    申请日:2017-11-04

    Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题,本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法,包括:S1、清洗衬底:将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,氮气吹干;S2、制备银纳米线乙醇混合液;S3、采用银纳米线乙醇混合液,通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格,干燥;S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上,在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力,持续5~35分钟,形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低,满足柔性器件对退火温度的需求,可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。

    一种具有电源转换功能的消防控制系统

    公开(公告)号:CN106075783B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201610135701.5

    申请日:2016-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种具有电源转换功能的消防控制系统,包括:手动控制盘,其设置于小区消防控制室内,所述手动控制盘内设置有低压电源和手动控制开关;现场消防控制箱,其设置于小区各个单体建筑内,所述现场消防控制箱内设置有消防设备控制电路;电源转换箱,其设置于小区消防控制室内,通过导线分别与手动控制盘和现场消防控制箱连接;所述电源转换箱内设置有电磁线圈和消防设备控制开关,所述电磁线圈与手动控制盘内的低压电源和手动控制开关连接,通过手动控制开关闭合为电磁线圈通入低压电;所述电磁线圈通电后能够使消防设备控制开关闭合,从而将220V电传输到现场消防控制箱。本发明传输导线线径可以用较小的,节省成本,实用性强。

    一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN116313815A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310073364.1

    申请日:2023-02-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法,包括:一、通过光刻剥离方法在基底上刻蚀出有多个有源层沉积区;二、利用掺Li氧化锌靶材和金属锡靶材在有源层沉积区上磁控溅射沉积掺Li氧化锌锡薄膜,得到第一有源层;以及利用氧化锌靶材和金属锡靶材在第一有源层上磁控溅射沉积氧化锌锡薄膜,得到第二有源层;其中,在沉积第一有源层时,O2的分压为0;在沉积第二有源层时,O2的分压为5%;三、对沉积有源层的基底去胶后,退火;四、通过光刻剥离方法在退火后的基底上刻蚀出多个电极沉积区;每个电极沉积区包括间隔设置的源电极沉积区和漏电极沉积区;五、在源电极沉积区和漏电极沉积区上沉积电极层后,去胶。

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