-
公开(公告)号：CN105355594A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510622440.5
申请日：2010-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8224 , H01L27/02 , H01L27/082 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/735
CPC classification number: H01L21/8224 , H01L27/0207 , H01L27/0821 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L29/0692 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN105280718A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510381482.4
申请日：2015-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/808 , H01L29/0688 , H01L29/66924
Abstract: 一种结型栅场效应晶体管(JFET)包括：衬底；源极区，形成在衬底中；漏极区，形成在衬底中；沟道区，形成在衬底中；以及至少一个栅极区，形成在衬底中。沟道区将源极区与漏极区连接。至少一个栅极区在界面处接触源极区和漏极区中的一个，并且至少一个栅极区与源极区和漏极区中的另一个隔离。介电层覆盖界面，同时暴露源极区和漏极区中的一个的一部分以及栅极区的一部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN102623515A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210016655.9
申请日：2012-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/94 , H01L21/334
CPC classification number: H01L29/66174 , H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 公开了用于MOS变抗器结构的装置和方法。提供了装置，包括限定在半导体衬底的一部分中的有源区；在有源区中延伸入半导体衬底中的掺杂阱区域；平行设置在掺杂阱区域中的至少两个栅极结构；设置在形成在栅极结构的相对两侧上的阱区域中的源极和漏极区域；形成在覆盖至少两个栅极结构并且电连接至少两个栅极结构的第一金属层中的栅极连接件；形成在第二金属层中并且电连接至源极和漏极区域的源极和漏极连接件；以及将在第二金属层中的源极和漏极连接件与形成在第一金属层中的栅极连接件隔离的层间介电材料。公开了用于形成该结构的方法。
-
公开(公告)号：CN117199133A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310887529.9
申请日：2023-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 半导体结构包括衬底和嵌入衬底中的pn结结构的堆叠件。半导体结构包括从衬底突出的半导体鳍。半导体结构包括设置在半导体鳍中的源极/漏极结构对。半导体结构包括位于半导体鳍的沟道区域上方并且介于源极/漏极结构对之间的栅极结构。本发明的实施例还提供了制造半导体结构的方法。
-
公开(公告)号：CN115863417A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210963996.0
申请日：2022-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例公开了半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体器件包括双极结型晶体管(BJT)结构，该BJT结构包括：位于具有第一导电类型的第一阱中的发射极、位于各自的第二阱中的集电极，第二阱具有与第一导电类型不同的第二导电类型并且彼此间隔开且第一阱位于其间，并且基极位于第一阱中并且位于发射极和集电极之间。BJT结构包括有源区，有源区具有形成发射极、集电极和基极的不同宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355594B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510622440.5
申请日：2010-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8224 , H01L27/02 , H01L27/082 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN102623515B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210016655.9
申请日：2012-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/94 , H01L21/334
CPC classification number: H01L29/66174 , H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 公开了用于MOS变抗器结构的装置和方法。提供了装置，包括限定在半导体衬底的一部分中的有源区；在有源区中延伸入半导体衬底中的掺杂阱区域；平行设置在掺杂阱区域中的至少两个栅极结构；设置在形成在栅极结构的相对两侧上的阱区域中的源极和漏极区域；形成在覆盖至少两个栅极结构并且电连接至少两个栅极结构的第一金属层中的栅极连接件；形成在第二金属层中并且电连接至源极和漏极区域的源极和漏极连接件；以及将在第二金属层中的源极和漏极连接件与形成在第一金属层中的栅极连接件隔离的层间介电材料。公开了用于形成该结构的方法。
-
公开(公告)号：CN103199085A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210192139.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/761 , H01L27/0928
Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。
-
公开(公告)号：CN102376781B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110125743.8
申请日：2011-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/94 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/93 , H01L27/0629 , H01L27/0808
Abstract: 本发明涉及一种半导体可变电容器(varactor)组件及变容器组件。变容器组件包括井区，井区配置于基板之上，且重掺杂井区配至于井区之上，其中井区和重掺杂井区是相同的导电型。栅介电层在重掺杂井区的顶面形成。栅电极在栅介电层上形成。源极区与漏极区在重掺杂井区的相对边上形成，源极区与漏极区的底面与井区接触，其中源极区与漏极区是相反的导电型。
-
公开(公告)号：CN102420216A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110060876.1
申请日：2011-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L29/0619 , H01L2223/6616 , H01L2223/6666 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种装置，其包括：基板，具有前表面和后表面；集成电路器件，在基板的前表面处；以及金属板，在基板的后表面上，其中，金属板与整个集成电路器件基本上重叠。保护环延伸到基板中并且环绕集成电路器件。保护环由导电材料形成。基板通孔(TSV)穿过基板并且电连接至金属板。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.032 seconds)
