公开(公告)号：CN100416796C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN100378926C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 本发明提供一种在有孔结构表面上产生一薄膜的方法和产物，其中该方法包含以下步骤：提供一包含有机材料的有孔结构表面，一个或多个孔洞在该有孔结构表面上具有开口；以一超临界流体接触该有孔结构表面，其中该超临界流体包括一溶剂，以溶合该有孔结构表面和所述孔洞的壁面而形成一溶合有机材料；以及相转变该溶合有机材料，以在该有孔结构表面上形成一密度比该有孔结构的密度更高的、且无孔的薄膜，由该薄膜封闭所述孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN1271686C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN2756337Y

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200420104898.9

申请日：2004-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: B08B3/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型涉及一种清洗多孔材料的装置，至少包括：一流体储存槽，用以储放一流体；一泵，其中该泵连接该流体储存槽，且该泵提供具不同压力的该流体；一处理反应室，其中该处理反应室连接该泵，且该处理反应室用以放置并清洗该多孔材料；以及一终点检测器，其中该终点检测器连接该处理反应室，且该终点检测器用以检测出该多孔材料的清洗终点。运用此清洗多孔材料的装置时，可在利用超临界流体清洗多孔材料上的制备工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压。如此一来，可平衡多孔材料的内外压力，达到降低压力对多孔材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN2731706Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420084786.1

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本实用新型揭示一种整合蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaningprocess)与沉积制程所形成的半导体装置，其包括一基底、一低介电常数材料层、以及一内联机结构。低介电常数材料层是设置于基底上方，其具有至少一镶嵌开口位于被一超临界流体所清洁过的一区域中。内联机结构设置于镶嵌开口内，且其是于实施清洁制程之后，利用超临界流体作为一反应媒介且利用一有机金属错合物作为一沉积前驱物而临场(in－situ)形成的。