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公开(公告)号：CN106373997A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510953080.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 半导体制造的方法包括在衬底上方形成介电层。在介电层上形成伪栅极结构，伪栅极结构限定了伪栅极介电区域。蚀刻未包括在伪栅极介电区域中的部分介电层以形成介电回蚀刻区域。在部分介电回蚀刻区域上形成间隔件元件，间隔件元件邻接伪栅极结构并且限定了间隔件介电区域。伪栅极介电区域的高度大于间隔件介电区域的高度。在衬底中形成凹进部分，在凹进部分上方选择性地生长应变材料以形成邻近间隔件介电区域的应变凹进区域。去除伪栅极结构和伪栅极介电区域。形成栅电极层和栅极介电层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106206434A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510793768.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76224 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L29/0649 , H01L29/42372 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。
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公开(公告)号：CN109841672B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201810036234.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本揭露提供一种具有减少的寄生电容的鳍状场效晶体管装置。所述鳍状场效晶体管装置包括具有至少一鳍的半导体基材和横跨此至少一鳍的栅极结构。所述栅极结构包括二个栅极堆叠、栅极隔离结构和二个间隙壁。所述栅极隔离结构是设于栅极堆叠之间并与栅极堆叠相接。所述间隙壁夹设栅极堆叠和栅极隔离结构。间隙壁包含二个第一部分和一个第二部分，其中第一部分接触栅极堆叠，第二部分接触栅极隔离结构，且第一部分夹设第二部分。间隙壁的第一部分的材料与间隙壁的第二部分的材料不同。
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公开(公告)号：CN106206434B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510793768.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76224 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L29/0649 , H01L29/42372 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。
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公开(公告)号：CN109860297A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811339371.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体元件包括基板、栅极堆叠。基板包括半导体鳍。栅极堆叠设置在半导体鳍上。栅极堆叠包括设置在半导体鳍上方的介电层、及设置在介电层上方并且具有第一金属层及在第一金属层上方的第二金属层的金属堆叠、以及设置在金属堆叠上方的栅电极。第一金属层及第二金属层具有第一元素，并且第一元素在第一金属层中的百分比高于在第二金属层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109841672A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810036234.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本揭露提供一种具有减少的寄生电容的鳍状场效晶体管装置。所述鳍状场效晶体管装置包括具有至少一鳍的半导体基材和横跨此至少一鳍的栅极结构。所述栅极结构包括二个栅极堆叠、栅极隔离结构和二个间隙壁。所述栅极隔离结构是设于栅极堆叠之间并与栅极堆叠相接。所述间隙壁夹设栅极堆叠和栅极隔离结构。间隙壁包含二个第一部分和一个第二部分，其中第一部分接触栅极堆叠，第二部分接触栅极隔离结构，且第一部分夹设第二部分。间隙壁的第一部分的材料与间隙壁的第二部分的材料不同。
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公开(公告)号：CN108074804A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710152290.5
申请日：2017-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/02183 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/3115 , H01L29/401 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78 , H01L21/28247
Abstract: 提供一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其是包含沉积高介电常数介电层在基材上。形成虚拟金属层在高介电常数介电层上。虚拟金属层包含氟。进行高温制程，以驱动氟自虚拟金属层至高介电常数介电层，借以形成钝化高介电常数介电层。接着，移除虚拟金属层。形成至少一功函数层在钝化高介电常数介电层上。形成填充金属层在至少一功函数层上。
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公开(公告)号：CN112687624A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010994970.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括形成一半导体衬层于一第一鳍部结构及一第二鳍部结构上，以及形成一第一盖层于设置在第一鳍部结构上的半导体衬层上。上述方法还包括形成一第二盖层于设置在第一鳍部结构上的半导体衬层上，其中第一盖层的组成不同于第二盖层的组成。上述方法还包括对第一盖层、第二盖层及半导体衬层进行一热处理，以形成第一通道区于第一鳍部结构内，且形成第二通道区于第二鳍部结构内。第一通道区的材料的浓度分布剖面不同于第二通道区的材料的浓度分布剖面。
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公开(公告)号：CN112530872A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010977926.1
申请日：2020-09-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 半导体装置的制造方法，包括：提供半导体基板；从半导体基板的顶表面外延成长阻挡层，其中阻挡层具有与半导体基板不同的晶格常数；于阻挡层之上外延成长半导体层；图案化半导体层以形成半导体鳍片，其中阻挡层位于半导体鳍片之下；形成接触半导体鳍片的源极/漏极部件；以及形成齿合半导体鳍片的栅极结构。
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公开(公告)号：CN112447596A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010896551.6
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置结构的制造方法，包括：在一鳍片结构的曝露表面上形成半导体衬垫层，上述鳍片结构延伸至设置于基板上的介电隔离结构上方；形成第一覆盖层以横向地围绕半导体衬垫层的底部部分；在半导体衬垫层的上方部分上形成第二覆盖层；以及退火其上具有半导体衬垫层、第一覆盖层、以及第二覆盖层的上述鳍片结构，上述退火将一掺杂物自半导体衬垫层驱使入上述鳍片结构，其中上述鳍片结构的底部部分中的掺杂浓度曲线，不同于上述鳍片结构的上方部分中的掺杂浓度曲线。
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