公开(公告)号：CN112687624A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010994970.3

申请日：2020-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简妤珊 ,  江欣哲 ,  梁春昇 ,  潘国华

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括形成一半导体衬层于一第一鳍部结构及一第二鳍部结构上，以及形成一第一盖层于设置在第一鳍部结构上的半导体衬层上。上述方法还包括形成一第二盖层于设置在第一鳍部结构上的半导体衬层上，其中第一盖层的组成不同于第二盖层的组成。上述方法还包括对第一盖层、第二盖层及半导体衬层进行一热处理，以形成第一通道区于第一鳍部结构内，且形成第二通道区于第二鳍部结构内。第一通道区的材料的浓度分布剖面不同于第二通道区的材料的浓度分布剖面。

公开(公告)号：CN112447596A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010896551.6

申请日：2020-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高伟智 ,  江欣哲 ,  简妤珊 ,  梁春昇 ,  潘国华

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置结构的制造方法，包括：在一鳍片结构的曝露表面上形成半导体衬垫层，上述鳍片结构延伸至设置于基板上的介电隔离结构上方；形成第一覆盖层以横向地围绕半导体衬垫层的底部部分；在半导体衬垫层的上方部分上形成第二覆盖层；以及退火其上具有半导体衬垫层、第一覆盖层、以及第二覆盖层的上述鳍片结构，上述退火将一掺杂物自半导体衬垫层驱使入上述鳍片结构，其中上述鳍片结构的底部部分中的掺杂浓度曲线，不同于上述鳍片结构的上方部分中的掺杂浓度曲线。