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公开(公告)号：CN105938821B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201610117616.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 一种三维集成电路(3DIC)包括第一衬底和嵌入在第一衬底中的散热结构。该3DIC还包括电连接至第一衬底的管芯，其中，管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于管芯上的多个存储单元，其中，管芯介于多个存储单元和第一衬底之间，并且多个存储单元通过管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于多个存储单元上的外部冷却单元，其中，多个存储单元介于管芯和外部冷却单元之间，并且管芯通过多个存储单元热连接至外部冷却单元。本发明实施例涉及热增强的散热器。
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公开(公告)号：CN110828445A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910363164.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体封装。半导体封装包括封装基板、第一芯片、第二芯片以及散热器。第一芯片及第二芯片安装于封装基板上，并且第一芯片的厚度与第二芯片的厚度不同。散热器贴附在第一芯片的顶部及第二芯片的顶部。其中，第一芯片上方的散热器的第一部分与第二芯片上方的散热器的第二部分具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN105938821A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610117616.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 一种三维集成电路(3DIC)包括第一衬底和嵌入在第一衬底中的散热结构。该3DIC还包括电连接至第一衬底的管芯，其中，管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于管芯上的多个存储单元，其中，管芯介于多个存储单元和第一衬底之间，并且多个存储单元通过管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于多个存储单元上的外部冷却单元，其中，多个存储单元介于管芯和外部冷却单元之间，并且管芯通过多个存储单元热连接至外部冷却单元。本发明实施例涉及热增强的散热器。
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公开(公告)号：CN102194759B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010250772.2
申请日：2010-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/32 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K7/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体元件封装体、环结构、及制造半导体封装体的方法，其中一实施例提供一种半导体元件封装体，包括：一封装基底；一芯片，连接至该封装基底；以及一环结构，连接至该封装基底，并横向围绕该芯片的周边而设置，而使该芯片的一表面露出，其中该环结构包括一或更多的压缩部件，每一该一或更多的压缩部件有压缩力地抵住该封装基底的一表面以抵抗或吸收该封装体中的应力。本发明中的倒装芯片封装体可更为可靠，并更可靠地连接至印刷电路板。
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公开(公告)号：CN102593072A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110249261.3
申请日：2011-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/02
CPC classification number: H01L23/16 , H01L23/055 , H01L23/562 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 在封装结构中，加强环位于第一封装部件的上方且与其顶面接合。第二封装部件位于第一封装部件的上方且与其顶面接合，且第二封装部件被加强环所围绕。金属盖位于加强环的上方且与其接合。金属盖具有贯通开口。本发明公开了一种倒装封装中用于提高可靠性的盖式设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456638A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110314735.8
申请日：2011-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/10 , H01L21/563 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L23/4006 , H01L23/433 , H01L23/562 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明用于倒装芯片封装的顺应式散热器描述了一种集成电路芯片封装件。该集成电路封装件包括：基板；芯片，连接到基板；以及散热器，安装在芯片上方，用于将其中的芯片密封。散热器包括：导热元件，一侧相对于芯片的顶部，用于将热量从芯片传送到散热器；以及顺应式元件，具有第一部分和第二部分，第一部分连接到并且位于导热元件的边缘周围，第二部分固定在基板的表面，其中，导热元件的导热系数高于顺应式元件的导热系数。
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公开(公告)号：CN102194759A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010250772.2
申请日：2010-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/32 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K7/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体元件封装体、环结构、及制造半导体封装体的方法，其中一实施例提供一种半导体元件封装体，包括：一封装基底；一芯片，连接至该封装基底；以及一环结构，连接至该封装基底，并横向围绕该芯片的周边而设置，而使该芯片的一表面露出，其中该环结构包括一或更多的压缩部件，每一该一或更多的压缩部件有压缩力地抵住该封装基底的一表面以抵抗或吸收该封装体中的应力。本发明中的倒装芯片封装体可更为可靠，并更可靠地连接至印刷电路板。
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公开(公告)号：CN101989585A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243224.7
申请日：2010-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/427
CPC classification number: H01L23/04 , H01L23/427 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/14 , H01L2924/16152 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种微电子封装体，在一实施例中，微电子封装体包括一芯片，具有一第一表面和一第二表面，第一表面耦接至一基板；一热界面材料，与芯片的第二表面导热接触；一散热器，用来消散芯片的热量，散热器与界面材料导热接触，散热器包括一盖板，具有由一第一墙和第二墙定义的内部腔室，第二墙牢固地接合第一墙，以密封腔室，盖板固接至基板；及一吸收层，位于腔室中。本发明可改善倒装芯片微电子封装体消散芯片或其它电子组件产生热的能力，使元件热点上的热能散布至较大的表面区域。
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公开(公告)号：CN106997854B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201611181544.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种实施例封装件包括第一封装件；接触第一封装件的顶面的热界面材料(TIM)、以及接合至第一封装件的第二封装件。第二封装件包括第一半导体管芯，并且TIM接触第一半导体管芯的底面。封装件还包括设置在第二封装件的与第一封装件相对的表面上的散热器。本发明实施例涉及封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103035596B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210020437.2
申请日：2012-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05022 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/061 , H01L2224/06137 , H01L2224/06179 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/206
Abstract: 提供了用于提供后钝化开口和接触下金属化层的系统和方法。实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。通过以这种方式成型和对准穿过后钝化层的开口，后钝化层有助于防护下面的层免受由材料的热膨胀系数的失配所生成的应力。本发明还提供了用于芯片级封装的电连接。
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