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公开(公告)号：CN105892541A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510038093.1
申请日：2015-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了带隙电路和相关方法。器件包括带隙基准级、镜像电流源、电压控制电路和电阻器件。镜像电流源具有电连接至带隙基准级的内部节点的控制端子。电压控制电路包括电连接至带隙基准级的第二内部节点的第一端子和电连接至镜像电流源的第一端子的第二端子。电阻器件具有电连接至电压控制电路的第三端子的第一端子。
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公开(公告)号：CN103226044B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210546656.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K7/01
Abstract: 一种热感测系统包括具有布局的电路，该布局包括成行和成列地布置的标准单元。第一和第二电流源分别提供了第一和第二电流。热感测系统包括热感测单元，第一和第二开关模块，以及模拟数字转换器(ADC)。每个热感测单元均被配置成提供取决于该热感测电流源处的温度的电压降。第一开关模块被配置成选择热感测单元之一。第二开关模块包括至少一个可由控制信号控制的开关。至少一个开关被配置成基于控制信号通过第一开关模块将热感测单元选择性地与第一和第二电流源之一相连接。ADC被配置成将由所选择的热感测单元提供的模拟电压转换成数字值。本发明还提供了一种小区域高性能的以单元为基础的热二极管。
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公开(公告)号：CN102045068A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010237434.5
申请日：2010-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2320/02 , G09G2330/021
Abstract: 本发明提供一种数字模拟转换电路及数字模拟转换方法，该电路包括第一、第二数字模拟转换解码器以及缓冲器。第一数字模拟转换解码器，用以根据数字输入码的第一位数，输出具有第一电压电平的第一输出信号，而第一电压电平相应于多个第一输入端之一所接收的电压电平；第二数字模拟转换解码器，用以根据数字输入码中的第二位数，输出具有第二电压电平的第二输出信号，第二电压电平相应于多个第二输入端之一所接收的电压电平。缓冲器用以根据第一和第二输出信号的第一和第二电压电平，输出具有一电压电平的第三输出信号。本发明的优点是在维持LCD的解析度和亮度的情况下，减少将DAC解码器连接至共用DAC的导线数目。
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公开(公告)号：CN101635576A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910159910.3
申请日：2009-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 彭永州
CPC classification number: H04B1/036
Abstract: 本发明公开了一种判决反馈均衡器(DFE)的加法器中的抽头电路，该抽头电路包括：接收信号线路的差分对，具有与连接在第一节点和地之间的抽头权基本成比例的量级的电流源，可控制地将电流源连接到接收信号线路之一的数个NMOS晶体管，只连接到所述数个NMOS晶体管的栅极上的DFE数据信号和DFE逻辑标志信号，其中所述抽头电路能够在低电源电压下工作并且不损失速度。
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公开(公告)号：CN112687560B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202010115346.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种监控半导体元件温度的装置包括多个有源区域结构。一或多个有源元件包括多个有源区域结构的各部分。金属层形成在该多个有源区域结构上，并且通过一或多个虚拟栅极层与该一或多个有源元件分开。该金属层用以量测由于该金属层中的电阻变化而导致的所述多个有源区域结构的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113131906B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110166685.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/14
Abstract: 数字控制延迟线(DCDL)包含：输入端；输出端；以及多个级，该多个级被配置为将信号沿第一信号路径从输入端传播到多个级的可选返回级，然后沿第二信号路径从多个级的返回级传播到输出端。该多个级中的每一级包含：第一和第二反相器，被配置为选择性将该信号沿该第一信号路径传播；第三和第四反相器，被配置为选择性将该信号沿该第二信号路径传播；以及第五反相器，被配置为选择性将该信号从该第一信号路径传播到第二信号路径。
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公开(公告)号：CN114597192A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210073362.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L27/06
Abstract: 本申请公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在衬底之上的有源区域，该有源区域沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括多个第一导电结构，可操作地耦合到有源区域。第一导电结构沿第二横向方向延伸。该半导体器件包括设置在多个第一导电结构之上的多个第二导电结构。第二导电结构沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括具有第一电极和第二电极的第一电容器。第一电极包括第一导电结构之一和有源区域，并且第二电极包括第二导电结构中的第一个。有源区域和第一导电结构中的每一个电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。
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公开(公告)号：CN113160860A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110478689.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在存储器计算(“CIM”)系统中，通过将来自CIM存储器电路的电流信号与参考电流进行比较，来计算表示乘法和累加运算结果的电流信号通过电流数模转换器(“DAC”)电路实现。存储器电路可以包括非易失性存储器(“NVM”)元件，其可以是多级或二级NVM元件。存储器元件的特征尺寸可以被二进制加权以对应于多位权重和/或多位输入信号中的各个位置值。可替代地，相等大小的NVM元件可以用于驱动二进制加权大小的晶体管。电流比较操作可以比电压计算更高的速度执行。在一些实施例中，简单的时钟门控开关用于在电流求和分支中生成均匀电流。时钟门控开关还用于限制单元电流导通的时间，从而减少静态功耗。
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公开(公告)号：CN113131906A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110166685.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/14
Abstract: 数字控制延迟线(DCDL)包含：输入端；输出端；以及多个级，该多个级被配置为将信号沿第一信号路径从输入端传播到多个级的可选返回级，然后沿第二信号路径从多个级的返回级传播到输出端。该多个级中的每一级包含：第一和第二反相器，被配置为选择性将该信号沿该第一信号路径传播；第三和第四反相器，被配置为选择性将该信号沿该第二信号路径传播；以及第五反相器，被配置为选择性将该信号从该第一信号路径传播到第二信号路径。
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公开(公告)号：CN112687560A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010115346.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种监控半导体元件温度的装置包括多个有源区域结构。一或多个有源元件包括多个有源区域结构的各部分。金属层形成在该多个有源区域结构上，并且通过一或多个虚拟栅极层与该一或多个有源元件分开。该金属层用以量测由于该金属层中的电阻变化而导致的所述多个有源区域结构的温度。
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