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公开(公告)号：CN100499121C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510087360.0
申请日：2005-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L27/0805 , H01L27/0808 , H01L28/40 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属-绝缘层-金属(MIM)、金属-氧化层-金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。
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公开(公告)号：CN1661800A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410088048.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种半导体无线频率(RF)组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低RF被动组件及主动组件的传导绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于RF被动组件及传导绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二个护罩层。此第二护罩层也同样可以含有一个开口，且第一及第二护罩层中的开口彼此错开。第一及第二护罩层可透过一防护环来彼此连接，且亦能连接到一共同电位。
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公开(公告)号：CN1606168A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410057104.2
申请日：2004-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种金属在金属上(MOM)的组件及其制造方法。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心指状物，每一中心指状物由其至少四个末端中的一末端于一象限中延伸；该框架部分也同样具有一或一个以上的框架指状物自此处延伸，每一框架指状物位于一象限中且不与位于同象限的中心指状物重叠。
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公开(公告)号：CN102468328A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110324281.2
申请日：2011-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76807 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L29/665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于减少栅极电阻的接触结构及其制造方法。一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接触插塞。由第二材料形成的第二接触插塞填充形成在第一介电层和第二介电层中的第二接触孔。第二接触插塞与形成在第二介电层中的栅极和互连结构连接，互连结构与第一接触插塞连接。第二材料与第一材料不同，且第二材料具有比第一材料低的电阻。
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公开(公告)号：CN101533838A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810192971.5
申请日：2008-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种结合气隙和金属－氧化物－金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101174620A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710101842.6
申请日：2007-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：第一电容组件及第二电容组件。第一电容组件包括彼此连接的多个第一单元电容组件，且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值，而第二电容组件包括彼此连接的多个第二单元电容组件，且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值，其中所述第一单元电容组件与第二单元电容组件具有相同的数量。所述第一单元电容组件与第二单元电容组件排列成一个阵列，并在每一列及每一栏中交替排置且总数分别大于2。同时，本发明还公开了一种集成电路，包括有上述电容组件阵列。总之，本发明通过有效降低工艺变异的敏感性，使得在不增加电容值不匹配的情形下可以形成较大的电容组件对。
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公开(公告)号：CN101000908A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610094199.4
申请日：2006-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别配置于各个该第一板状物上方；一系列的第一导通层，分别连接于各个该第一延伸板上；以及一第二板状物层，包含一系列相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别连接于各个该第一导通层上；其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，并还可改善对准误差所造成的影响。
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公开(公告)号：CN101174620B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710101842.6
申请日：2007-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：第一电容组件及第二电容组件。第一电容组件包括彼此连接的多个第一单元电容组件，且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值，而第二电容组件包括彼此连接的多个第二单元电容组件，且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值，其中所述第一单元电容组件与第二单元电容组件具有相同的数量。所述第一单元电容组件与第二单元电容组件排列成一个阵列，并在每一列及每一栏中交替排置且总数分别大于2。同时，本发明还公开了一种集成电路，包括有上述电容组件阵列。总之，本发明通过有效降低工艺变异的敏感性，使得在不增加电容值不匹配的情形下可以形成较大的电容组件对。
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公开(公告)号：CN100477214C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610094199.4
申请日：2006-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别配置于各个该第一板状物上方；一系列的第一导通层，分别连接于各个该第一延伸板上；以及一第二板状物层，包含一系列相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别连接于各个该第一导通层上；其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，并还可改善对准误差所造成的影响。
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公开(公告)号：CN100353552C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410088048.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种半导体无线频率(RF)组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低RF无源组件及有源组件的导电绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于RF无源组件及导电绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二个护罩层。此第二护罩层也同样可以含有一个开口，且第一及第二护罩层中的开口彼此错开。第一及第二护罩层可透过一防护环来彼此连接，且亦能连接到一共同电位。
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