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公开(公告)号:CN106560920A
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201610707070.X
申请日:2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L21/0273 , H01L21/288 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76879 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2224/11 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例提供了一种具有超厚金属(UTM)的半导体结构。半导体结构包括衬底;位于衬底上方的金属层;以及位于金属层上方的UTM。UTM的面积密度大于40%和UTM的厚度等于或大于6微米。本发明提供了一种用于制造具有UTM的半导体结构的方法。方法包括:通过第一掩模将介电层图案化为具有多个沟槽,通过第二掩模图案化设置在相邻的沟槽之间的台面上的光刻胶,以及在多个沟槽中选择性地镀导电材料。本发明实施例涉及具有超厚金属的半导体结构和制造方法。
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公开(公告)号:CN102441840B
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201110070909.0
申请日:2011-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/005 , H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67265 , B24B7/228 , B24B41/061 , B24B49/16 , H01L21/304
Abstract: 在控制晶片背面研磨的系统及背面研磨方法中,采用的工作台具有表面,可在背面研磨工艺中支撑半导体晶片。工作台表面中具有一个或多个孔洞,而位于这些孔洞中的一个或多个传感器可监测背面研磨的参数。计算机工艺控制工具可耦接至传感器以接收其输出信号,并以输出信号为依据控制背面研磨工艺。本发明的控制晶片背面研磨的系统和方法能有效减小工艺缺陷并使得半导体晶片在背面研磨工艺中保持厚度一致。
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公开(公告)号:CN102398208B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201110064974.2
申请日:2011-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺处理系统及方法,适用于减少对于一半导体晶片在执行背面研磨胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷,该系统包括:平台,具有一个或多个孔洞在其中形成,其中平台为工作盘或支撑台,以及其中孔洞和发生预先背面研磨胶带贴片工艺时的上方表面呈垂直;一个或多个传感器,配置在孔洞,用以监控上述预先背面研磨胶带贴片工艺过程中的参数;控制盒,耦接一个或多个传感器,用以将从一个或多个传感器接收到的感测信号组转换为数字形式;以及电脑实施工艺控制工具,耦接至控制盒,用以根据数字形式的感测信号组决定是否继续进行预先背面研磨胶带贴片工艺。
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公开(公告)号:CN102842537A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201110344854.8
申请日:2011-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3114 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/05583 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/01082 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种半导体器件包括:势垒层,位于焊料凸块和后钝化互连(PPI)层之间。势垒层由无电镀镍(Ni)层、无电镀钯(Pd)层、或者浸渍(Au)层中的至少一个形成。
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公开(公告)号:CN102441840A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110070909.0
申请日:2011-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/005 , H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67265 , B24B7/228 , B24B41/061 , B24B49/16 , H01L21/304
Abstract: 在控制晶片背面研磨的系统及背面研磨方法中,采用的工作台具有表面,可在背面研磨工艺中支撑半导体晶片。工作台表面中具有一个或多个孔洞,而位于这些孔洞中的一个或多个传感器可监测背面研磨的参数。计算机工艺控制工具可耦接至传感器以接收其输出信号,并以输出信号为依据控制背面研磨工艺。本发明的控制晶片背面研磨的系统和方法能有效减小工艺缺陷并使得半导体晶片在背面研磨工艺中保持厚度一致。
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公开(公告)号:CN102398208A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201110064974.2
申请日:2011-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04
CPC classification number: G05B19/41875 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺处理系统及方法,适用于减少对于一半导体晶片在执行背面研磨胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷,该系统包括:平台,具有一个或多个孔洞在其中形成,其中平台为工作盘或支撑台,以及其中孔洞和发生预先背面研磨胶带贴片工艺时的上方表面呈垂直;一个或多个传感器,配置在孔洞,用以监控上述预先背面研磨胶带贴片工艺过程中的参数;控制盒,耦接一个或多个传感器,用以将从一个或多个传感器接收到的感测信号组转换为数字形式;以及电脑实施工艺控制工具,耦接至控制盒,用以根据数字形式的感测信号组决定是否继续进行预先背面研磨胶带贴片工艺。
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公开(公告)号:CN102376667A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110058520.4
申请日:2011-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/36 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L23/3121 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H05K3/3436 , H05K3/3452 , H05K2201/099 , H05K2201/10674
Abstract: 本发明提供一用以封装衬底及用于倒装芯片集成电路组成的封装装置及方法。该封装装置提供一衬底,其具有一阻焊层,在阻焊层中具有暴露导电凸块焊盘的开口,及在导电凸块焊盘之间暴露阻焊层底下的介电层的开口。倒装芯片集成电路使用热回焊连接至衬底,将集成电路上的导电焊料凸块回焊至导电凸块焊盘上。涂布底部填充材料至集成电路下方并与其与衬底的介电层物理接触。在其他实施例中,一或多个集成电路以倒装芯片方式粘着于衬底上。依上述方法所形成的结构相较于公知技术的结构具有较佳的热效能。
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