-
公开(公告)号：CN113106531B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110437505.4
申请日：2021-04-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F3/12
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。
-
公开(公告)号：CN103924287B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410185241.8
申请日：2014-05-04
IPC: C25F3/12 , H01L21/3063
Abstract: 本发明提供一种电致化学抛光方法，包括以下步骤：配制含有电活性中介体、pH调节剂、粘度调节剂和抑制剂的工作液；将工作电极工作面与工件表面平行相对设置，工作电极工作面具有小于1μm平整度；将工作电极工作面和工件表面浸入工作液中，通过微纳复合进给机构调整工作电极工作面与工件表面的间距至0.05μm～20μm；启动电源使工作电极和辅助电极通电，工作电极工作面附近的电活性中介体通过电化学反应生成刻蚀剂，通过刻蚀剂扩散至工件表面并发生扩散控制的刻蚀反应，对工件表面局部高点进行选择性刻蚀，实现对工件表面无应力抛光。
-
公开(公告)号：CN104018211B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410269475.0
申请日：2014-06-17
Abstract: 本发明公开了一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法，其包括如下步骤：在模板电极或工件表面固定一层氧化还原水合凝胶聚合物超薄膜；将模板电极和工件浸入工作溶液，叠放于容器底部，使模板电极表面和工件表面分别与软质聚合物超薄膜的两面保持自然紧密接触；另在容器内设辅助电极和参比电极，并与电化学控制仪相连；启动电化学控制仪，调控模板电极的电位，电化学氧化超薄膜中的电化学活性基团，由其快速地化学氧化与之接触的工件表面夺取电子，而工件表面失去的电子被超薄膜慢速地传递至模板电极，使刻蚀持续进行；刻蚀完毕后，关闭电化学控制仪，移开模板电极，即可。本方法能以纳米精度将模板电极表面微结构图案的互补结构刻蚀加工在工件表面。
-
公开(公告)号：CN115648040B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202211427430.2
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明第一方面提出一种硬质合金材料的表面处理方法，硬质合金材料的组成相包括硬化相和粘结相，粘结相的电解氧化速率大于硬化相的电解氧化速率，方法包括：将硬质合金材料浸入电解液，交替进行电解抛光和电镀抛光。优选地，电解液中添加有沉积离子，沉积离子包括至少一种与粘结相的组成元素相同的金属阳离子。本方案在常规电化学机械抛光过程中加入电镀过程，使电解和电镀交替进行，通过电镀过程弥补粘结相较快氧化导致的材料表面的坑洞，工艺简单，处理效果好。本发明第二方面提出一种硬质合金材料的表面处理装置，装置包括辅助电极、电解液槽和电极交替模块，交替硬质合金材料和辅助电极的电性，使硬质合金材料交替进行电解抛光和电镀抛光。
-
公开(公告)号：CN113106531A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110437505.4
申请日：2021-04-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F3/12
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109648463B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811537195.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。
-
公开(公告)号：CN110172349B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910380297.1
申请日：2019-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K13/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法，采用纯水由如下原料按摩尔浓度配成：5‑40mM过一硫酸氢钾复合盐(K2SO4·KHSO4·2KHSO5)、0.05‑5mM pH缓冲剂。本发明技术组分科学合理，制造简单，是对目前的氮化镓半导体光电化学刻蚀液的创新改进，可加工出纳米平整度和粗糙度的结构和刻蚀面。
-
公开(公告)号：CN106191983B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610663439.1
申请日：2016-08-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F7/00
Abstract: 本发明公开了一种用于电化学刻蚀加工的微流控装置及其应用方法，涉及金属、合金及半导体表面的纳米加工技术领域。采用中心开孔的盘式电极为工具电极，在工具电极的一面用软管包封中心孔的上端使之与流动注射泵相连；将工具电极具有纳米平整度的另一面作为工作面平放在工件上，并以厚度均一的绝缘薄膜碎片为垫片，使工具电极和工件表面形成盘状微间隙构成微流通道；用流动注射泵驱使工作液从工具电极的中心孔流入微间隙，工作液在平面所有方向上等速地流过整个盘状微间隙。本发明的微流控装置结构简单，能够同时更新微间隙内的工作溶液和移除刻蚀产物，使大面积的刻蚀加工可持续地进行。
-
公开(公告)号：CN106191983A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610663439.1
申请日：2016-08-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F7/00
CPC classification number: C25F7/00
Abstract: 本发明公开了一种用于电化学刻蚀加工的微流控装置及其应用方法，涉及金属、合金及半导体表面的纳米加工技术领域。采用中心开孔的盘式电极为工具电极，在工具电极的一面用软管包封中心孔的上端使之与流动注射泵相连；将工具电极具有纳米平整度的另一面作为工作面平放在工件上，并以厚度均一的绝缘薄膜碎片为垫片，使工具电极和工件表面形成盘状微间隙构成微流通道；用流动注射泵驱使工作液从工具电极的中心孔流入微间隙，工作液在平面所有方向上等速地流过整个盘状微间隙。本发明的微流控装置结构简单，能够同时更新微间隙内的工作溶液和移除刻蚀产物，使大面积的刻蚀加工可持续地进行。
-
公开(公告)号：CN103342334A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310172181.1
申请日：2013-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种电化学刻蚀加工聚合物材料表面的方法，涉及聚合物材料表面的微纳米加工技术领域，具体步骤是：将表面带有微图案的金属或合金材质的工具电极与聚合物工件表面相接触，并浸入工作溶液中；另在工作溶液中设置对电极和参比电极；通过电化学控制系统调控工具电极的电位使之表面发生电化学阳极氧化反应，产生金属氧化物纳米膜，再由金属氧化物纳米膜化学刻蚀聚合物材料表面；刻蚀完毕后，关闭电化学控制系统，将工具电极从聚合物材料表面移开，即可。该方法所需的设备简单、价廉，对导电或非导电材质的聚合物表面均可实现高效、高精度的批量刻蚀加工。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.023 seconds)
