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公开(公告)号：CN103924287A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410185241.8
申请日：2014-05-04
IPC: C25F3/12 , H01L21/3063
Abstract: 本发明提供一种电致化学抛光方法，包括以下步骤：配制含有电活性中介体、pH调节剂、粘度调节剂和抑制剂的工作液；将工作电极工作面与工件表面平行相对设置，工作电极工作面具有小于1μm平整度；将工作电极工作面和工件表面浸入工作液中，通过微纳复合进给机构调整工作电极工作面与工件表面的间距至0.05μm～20μm；启动电源使工作电极和辅助电极通电，工作电极工作面附近的电活性中介体通过电化学反应生成刻蚀剂，通过刻蚀剂扩散至工件表面并发生扩散控制的刻蚀反应，对工件表面局部高点进行选择性刻蚀，实现对工件表面无应力抛光。
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公开(公告)号：CN103924287B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410185241.8
申请日：2014-05-04
IPC: C25F3/12 , H01L21/3063
Abstract: 本发明提供一种电致化学抛光方法，包括以下步骤：配制含有电活性中介体、pH调节剂、粘度调节剂和抑制剂的工作液；将工作电极工作面与工件表面平行相对设置，工作电极工作面具有小于1μm平整度；将工作电极工作面和工件表面浸入工作液中，通过微纳复合进给机构调整工作电极工作面与工件表面的间距至0.05μm～20μm；启动电源使工作电极和辅助电极通电，工作电极工作面附近的电活性中介体通过电化学反应生成刻蚀剂，通过刻蚀剂扩散至工件表面并发生扩散控制的刻蚀反应，对工件表面局部高点进行选择性刻蚀，实现对工件表面无应力抛光。
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公开(公告)号：CN109648463B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811537195.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。
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公开(公告)号：CN109848840A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811535752.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/34 , B24B57/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片固定在抛光头上，抛光垫粘贴在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面；抛光液通过通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点。
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公开(公告)号：CN109648463A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811537195.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。
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