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公开(公告)号：CN107169564A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710192315.4
申请日：2017-03-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法，该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体，包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层，设置在n‑GaN层上的发射极和集电极，发射极和集电极结构相同，均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极，所述发射极分别通过波导与集电极连接，n‑GaN层下方设置有空腔，使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输，模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
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公开(公告)号：CN109920786B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910189150.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种同质集成光电子装置。所述同质集成光电子装置包括：衬底；能源模块，位于所述衬底表面，包括至少一个第一量子阱二极管器件，用于将自外界环境中接收到的光能转换为电能；通信模块，位于所述衬底表面，包括至少一组第一通信单元，所述第一通信单元包括两个第二量子阱二极管器件以及连接于两个所述第二量子阱二极管器件之间的第一光波导；控制模块，位于所述衬底外部，且连接所述能源模块和所述通信模块，用于存储来自于所述能源模块的所述电能，并向所述通信模块提供所述电能。本发明实现了光电子装置能源的自供给，扩大了光电子装置的应用领域。
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公开(公告)号：CN107169564B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710192315.4
申请日：2017-03-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法，该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体，包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层，设置在n‑GaN层上的发射极和集电极，发射极和集电极结构相同，均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极，所述发射极分别通过波导与集电极连接，n‑GaN层下方设置有空腔，使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输，模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
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公开(公告)号：CN107482031B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710675506.6
申请日：2017-08-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法，该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n‑电极引线区，LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p‑电极引线区连接；LED器件包括从下至上依次设置的n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p‑GaN层、p‑电极和设置在n‑GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n‑电极，所有LED器件的n‑电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜，抑制光从正面出射，实现背发光；LED器件相互独立，LED阵列单元均可收发，实现超高速MIMO系统收发端；同时，结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点，配合外部电路设计，通过收集外界震动和光源的能量，实现能量采集功能。
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公开(公告)号：CN107482031A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710675506.6
申请日：2017-08-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法，该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n-电极引线区，LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p-电极引线区连接；LED器件包括从下至上依次设置的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p-GaN层、p-电极和设置在n-GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n-电极，所有LED器件的n-电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜，抑制光从正面出射，实现背发光；LED器件相互独立，LED阵列单元均可收发，实现超高速MIMO系统收发端；同时，结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点，配合外部电路设计，通过收集外界震动和光源的能量，实现能量采集功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107404067A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710518114.9
申请日：2017-06-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/20
Abstract: 本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件，设置在所述p-n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p-电极的引线电极区和n-电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN107195708A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710205252.1
申请日：2017-03-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/11 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/11 , H01L31/03044 , H01L31/035236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法，该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元，集电极可以作为神经刺激的感知探测端。神经刺激信号在器件内部传输是基于光子而非传统的质子或电子。由于结构和材料的特性，刺激信号在内部传输的过程中会被存储一定的时间，模拟了人脑对信息的记忆功能。晶体管可看作一对共N极的PN结，由于结构相同，所以发射极和集电极功能可以互换，即信息可以双向传输。本发明在信息传输的过程中给作为光电探测的一端加载偏置电压使其处于点亮的状态，模拟了人脑对于不同信息选择性的记忆或者不记忆，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
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公开(公告)号：CN109920786A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910189150.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种同质集成光电子装置。所述同质集成光电子装置包括：衬底；能源模块，位于所述衬底表面，包括至少一个第一量子阱二极管器件，用于将自外界环境中接收到的光能转换为电能；通信模块，位于所述衬底表面，包括至少一组第一通信单元，所述第一通信单元包括两个第二量子阱二极管器件以及连接于两个所述第二量子阱二极管器件之间的第一光波导；控制模块，位于所述衬底外部，且连接所述能源模块和所述通信模块，用于存储来自于所述能源模块的所述电能，并向所述通信模块提供所述电能。本发明实现了光电子装置能源的自供给，扩大了光电子装置的应用领域。
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公开(公告)号：CN109841714A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910018370.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。
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公开(公告)号：CN105428305B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510816501.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/04 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导探测器单片集成器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的硅衬底悬空LED光波导探测器单片集成器件。本发明器件将光源、光波导和光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，实现平面光子单片集成器件，应用于光通信和光传感领域。
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