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公开(公告)号：CN108234021A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711458774.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/60 , H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种基于量子阱二极管器件的音频接收系统，包括音频信号驱动电路、半导体器件LED、音频信号接收放大电路；音频信号驱动电路输出端与半导体器件LED相连接；音频信号接收放大电路输入端与半导体器件LED相接；半导体器件LED自身产生光信号的同时，也可以接收到外界的光信号；音频信号接收放大电路，其输入信号通过一个运算放大器AD8092AR通过反馈电路进行放大，进行输出。半导体器件LED发光的同时可以进行数据的接收，适用于通信设备资源有限的场景，可用于制作可感光屏幕。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524516B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p‑n结量子阱，以及连接p‑n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p‑n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p‑n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN110579643A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910870919.9
申请日：2019-09-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于圆弧形固支梁的微波功率传感器，采用MEMS平面加工。该传感器由衬底、共面波导传输线、锚区、圆弧形固支梁和电容极板组成。衬底位于最下方，衬底上端面左右两侧各设有地线，两侧地线的上端面中部各设有一个锚区，圆弧形固支梁由锚区固定在两侧地线上，圆弧形固支梁的下方设有共面波导传输线，共面波导传输线与左侧地线之间在圆弧形固支梁正下方设有电容极板，有一个输出端与电容极板相连用于检测电容，当微波信号进入时引起电容变化，通过测量变化值即可间接得到微波信号的功率。此传感器采用圆弧形固支梁结构，提高了传感器的灵敏度和系统本身的稳定性，同时具有体积小、便于集成、结构简单等诸多优点。
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公开(公告)号：CN107180883A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710308064.1
申请日：2017-05-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/16 , H01L31/173 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: H01L31/165 , H01L31/035209 , H01L31/173 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了基于InGaN光子单片集成的多维空间可见光通信系统，该系统的InGaN光子集成芯片是由四个InGaN多量子阱器件和三个波导组成。InGaN多量子阱器件的发射光可以在片内耦合，也可以在片外透射，并且传输的光信号能被检测。集成芯片中的InGaN多量子阱器件既可作为发光源，散发出的平行于平面的光，通过波导耦合传输到另一个多量子阱器件中，也可作为光电探测器，将接收到的光信号转化为电信号，实现片内一对多的全双工光通信。集成芯片上器件发的光除了耦合到波导中，其余的发散到空间中，用商用光电探测器探测所传输的光信号，所探测到的信号与计算信号相符合。本发明实现了基于InGaN光子单片集成的多维空间可见光通信，为多维可见光通信研究奠定了基础。
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公开(公告)号：CN107404067A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710518114.9
申请日：2017-06-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/20
Abstract: 本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件，设置在所述p-n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p-电极的引线电极区和n-电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN109524516A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p-n结量子阱，以及连接p-n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p-n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p-n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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