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公开(公告)号：CN109830579B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811624899.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种悬空绿光LED单片集成装置及其制备方法。所述悬空绿光LED单片集成装置包括衬底、位于所述衬底表面的AlN缓冲层、以及位于所述AlN缓冲层表面的至少一器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的AlN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格准备层、多量子阱层、P型AlGaN层、第一P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格层、第二P型GaN层；所述衬底中具有一贯穿所述衬底的空腔，所述器件结构悬于所述空腔上方。本发明提高的发光二极管的出光效率，在照明、显示和光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109524516B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p‑n结量子阱，以及连接p‑n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p‑n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p‑n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN109462145A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811500232.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法，该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件与光波导，所述光波导一端与p-n结量子阱器件相连，另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器，可以通过调控微腔结构，实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN107195733A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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公开(公告)号：CN107180883A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710308064.1
申请日：2017-05-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/16 , H01L31/173 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: H01L31/165 , H01L31/035209 , H01L31/173 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了基于InGaN光子单片集成的多维空间可见光通信系统，该系统的InGaN光子集成芯片是由四个InGaN多量子阱器件和三个波导组成。InGaN多量子阱器件的发射光可以在片内耦合，也可以在片外透射，并且传输的光信号能被检测。集成芯片中的InGaN多量子阱器件既可作为发光源，散发出的平行于平面的光，通过波导耦合传输到另一个多量子阱器件中，也可作为光电探测器，将接收到的光信号转化为电信号，实现片内一对多的全双工光通信。集成芯片上器件发的光除了耦合到波导中，其余的发散到空间中，用商用光电探测器探测所传输的光信号，所探测到的信号与计算信号相符合。本发明实现了基于InGaN光子单片集成的多维空间可见光通信，为多维可见光通信研究奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428305A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510816501.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: G02B6/122 , H01L33/02 , H01L21/762 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明提供一种悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导探测器单片集成器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的硅衬底悬空LED光波导探测器单片集成器件。本发明器件将光源、光波导和光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，实现平面光子单片集成器件，应用于光通信和光传感领域。
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公开(公告)号：CN109994578B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910018312.8
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法。所述垂直结构蓝光发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型GaN层，所述氮化物外延层的厚度小于蓝光波长；N型电极，位于所述N型GaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高。
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公开(公告)号：CN109841714B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910018370.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。
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公开(公告)号：CN107104119B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710213973.7
申请日：2017-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/58 , H01L21/784
Abstract: 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面，上台面与InGaN/GaN量子阱的底面连接，下台面上设置有n‑电极，n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层、p‑电极和n‑电极构成LED器件，LED器件上集成有光波导，在光波导上有支撑结构，在n‑GaN层下方设置有与p‑电极、n‑电极、耦合区和光波导的位置正对且贯穿硅衬底层、外延缓冲层的空腔。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输难题的同时，采用直波导耦合互连的方式，实现了片内不同光子器件之间的互连。
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公开(公告)号：CN109994578A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910018312.8
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法。所述垂直结构蓝光发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型GaN层，所述氮化物外延层的厚度小于蓝光波长；N型电极，位于所述N型GaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高。
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