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公开(公告)号：CN105445854A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510752581.9
申请日：2015-11-06
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/13 , G02B6/136 , H01L33/02 , G02B6/131 , G02B6/132 , G02B6/138
Abstract: 本发明提供一种硅衬底悬空LED光波导集成光子器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层和外延缓冲层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导集成光子器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的硅衬底悬空LED光波导集成光子器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，解决了平面光子单片集成的难题，同时可使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输的难题，实现光在平面传输的功能。
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公开(公告)号：CN105428305A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510816501.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: G02B6/122 , H01L33/02 , H01L21/762 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明提供一种悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导探测器单片集成器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的硅衬底悬空LED光波导探测器单片集成器件。本发明器件将光源、光波导和光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，实现平面光子单片集成器件，应用于光通信和光传感领域。
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公开(公告)号：CN103779452A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN105445854B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510752581.9
申请日：2015-11-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅衬底悬空LED光波导集成光子器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层和外延缓冲层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导集成光子器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的硅衬底悬空LED光波导集成光子器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，解决了平面光子单片集成的难题，同时可使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输的难题，实现光在平面传输的功能。
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公开(公告)号：CN105633194B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610132116.X
申请日：2016-03-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，晶体管一端作为LED光源，另一端作为光电探测器，由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，将光信号转成电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性；该晶体管作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射；本发明晶体管可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972789B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410134928.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法，光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层，氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂，非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔，使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空，非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接，实现微腔内部光全反射传播，最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。
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公开(公告)号：CN105633194A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610132116.X
申请日：2016-03-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/173 , H01L31/1852 , H01L31/1856
Abstract: 本发明提供一种基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p-n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，晶体管一端作为LED光源，另一端作为光电探测器，由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，将光信号转成电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性；该晶体管作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射；本发明晶体管可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。
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公开(公告)号：CN103811598A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310672969.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/124 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿至氮化物层下表面的长方体空腔；氮化物层位于空腔上部的悬空部分从其下表面进行减薄处理；氮化物层和氧化铪薄膜层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。本发明还公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件的制备方法，该器件实现了激发光和纳米结构之间的交互作用，并且便于与硅基微电子加工技术集成，实现集成式硅基光电子系统。
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公开(公告)号：CN103811598B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310672969.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿至氮化物层下表面的长方体空腔；氮化物层位于空腔上部的悬空部分从其下表面进行减薄处理；氮化物层和氧化铪薄膜层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。本发明还公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件的制备方法，该器件实现了激发光和纳米结构之间的交互作用，并且便于与硅基微电子加工技术集成，实现集成式硅基光电子系统。
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