公开(公告)号：CN107169564B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201710192315.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  朱桂遐 ,  杨永超 ,  李永航 ,  袁佳磊 ,  蔡玮

IPC: G06N3/067

Abstract: 本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法，该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体，包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层，设置在n‑GaN层上的发射极和集电极，发射极和集电极结构相同，均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极，所述发射极分别通过波导与集电极连接，n‑GaN层下方设置有空腔，使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输，模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。

公开(公告)号：CN107169564A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710192315.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  朱桂遐 ,  杨永超 ,  李永航 ,  袁佳磊 ,  蔡玮

IPC: G06N3/067

Abstract: 本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法，该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体，包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层，设置在n‑GaN层上的发射极和集电极，发射极和集电极结构相同，均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极，所述发射极分别通过波导与集电极连接，n‑GaN层下方设置有空腔，使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输，模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。