-
公开(公告)号：CN109860354A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811624876.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及信息材料与器件技术领域，尤其涉及一种同质集成红外光子芯片及其制备方法。所述同质集成红外光子芯片包括衬底层以及均位于所述衬底层表面的器件结构和波导结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底层的方向依次叠置的下接触层、量子阱层和上接触层，且所述衬底层、所述下接触层、所述量子阱层与所述上接触层的材料均为Ⅲ-Ⅴ族材料；所述波导结构包括采用Ⅲ-Ⅴ族材料制造而成的波导层，所述波导层与所述下接触层同层设置。本发明实现了红外波段的非可见光在片内的传输，降低了红外光通信器件的制造难度及制造成本。
-
公开(公告)号：CN107768976A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710998802.X
申请日：2017-10-23
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01S5/041 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器及其制作方法，属于信息材料与器件领域。通过曝光技术和氮化物刻蚀工艺，在顶层氮化物器件层形成波导和量子阱二极管的集成。利用聚焦离子束刻蚀技术，在波导上加工谐振光栅微腔，形成微腔结构，获得集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的硅衬底GaN基波导激光器。本发明提出的激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
-
公开(公告)号：CN109994578B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910018312.8
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法。所述垂直结构蓝光发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型GaN层，所述氮化物外延层的厚度小于蓝光波长；N型电极，位于所述N型GaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109841714B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910018370.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。
-
公开(公告)号：CN109994578A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910018312.8
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法。所述垂直结构蓝光发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型GaN层，所述氮化物外延层的厚度小于蓝光波长；N型电极，位于所述N型GaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高。
-
公开(公告)号：CN109860354B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811624876.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及信息材料与器件技术领域，尤其涉及一种同质集成红外光子芯片及其制备方法。所述同质集成红外光子芯片包括衬底层以及均位于所述衬底层表面的器件结构和波导结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底层的方向依次叠置的下接触层、量子阱层和上接触层，且所述衬底层、所述下接触层、所述量子阱层与所述上接触层的材料均为Ⅲ‑Ⅴ族材料；所述波导结构包括采用Ⅲ‑Ⅴ族材料制造而成的波导层，所述波导层与所述下接触层同层设置。本发明实现了红外波段的非可见光在片内的传输，降低了红外光通信器件的制造难度及制造成本。
-
公开(公告)号：CN110071204A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910328596.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种用于透明显示屏的发光二极管及其制备方法。所述用于透明显示屏的发光二极管包括：外延层，包括下接触层、量子阱层和上接触层，所述下接触层包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面，所述量子阱层位于所述上台面；绝缘层，覆盖于所述外延层表面，所述绝缘层中包括第一开口和第二开口；透明电极，自所述第二开口延伸至覆盖所述下台面的绝缘层表面，所述透明电极包括填充于所述第二开口内的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部；第一电极，填充于所述第一开口；第二电极，覆盖于所述第二端部表面。本发明提高了发光二极管的出光效率，进而有效改善了透明显示屏的显示质量。
-
公开(公告)号：CN109841714A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910018370.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.016 seconds)
